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1. (WO2006041798) TRANSISTOR A FAIBLE EFFET DE CHAMP PARASITE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/041798    N° de la demande internationale :    PCT/US2005/035568
Date de publication : 20.04.2006 Date de dépôt international : 04.10.2005
CIB :
H01L 29/78 (2006.01), H01L 29/10 (2006.01), H01L 29/06 (2006.01), H01L 21/74 (2006.01)
Déposants : NORTHROP GRUMMAN CORPORATION [US/US]; 1840 Century Park East, Los Angeles, CA 90067-2199 (US) (Tous Sauf US).
BLUZER, Nathan [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : BLUZER, Nathan; (US)
Mandataire : GATES, William, L.; 8110 Gatehouse Road, Suite 100 East, P.O. Box 747, Falls Church, VA 22042 (US)
Données relatives à la priorité :
60/614,972 04.10.2004 US
Titre (EN) LOW NOISE FIELD EFFECT TRANSISTOR
(FR) TRANSISTOR A FAIBLE EFFET DE CHAMP PARASITE
Abrégé : front page image
(EN)An FET (field effect transistor) having source, drain and channel regions of a conductivity type in a semiconductor body of opposite conductivity type. The channel region is located at the lower extremity of the source and drain regions so as to be spaced from the surface of the semiconductor body by a distanced.
(FR)FET (transistor à effet de champ) ayant des régions de source, de drain et de canal d’un certain type de conductivité dans un corps à semi-conducteur de type de conductivité opposé. La région de canal est située au niveau d’une extrémité inférieure des régions de source et de drain afin d’être espacée de la surface du corps à semi-conducteur d'une certaine distance.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)