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1. (WO2006041793) MATÉRIAU DIÉLECTRIQUE DE FAIBLE K À BASE DE NANOSTRUCTURES DE CARBONE ET PROCÉDÉS DE FORMATION DUDIT MATÉRIAU DIÉLECTRIQUE DE FAIBLE K
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/041793    N° de la demande internationale :    PCT/US2005/035547
Date de publication : 20.04.2006 Date de dépôt international : 03.10.2005
CIB :
H01L 21/469 (2006.01)
Déposants : INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION [US/US]; New Orchard Road, Armonk, NJ 10504 (US) (Tous Sauf US).
FURUKAWA, Toshiharu [JP/US]; (US) (US Seulement).
HAKEY, Mark, C. [US/US]; (US) (US Seulement).
HOLMES, Steven, J. [US/US]; (US) (US Seulement).
HORAK, David, V. [US/US]; (US) (US Seulement).
KOBURGER, Charles, W., III [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : FURUKAWA, Toshiharu; (US).
HAKEY, Mark, C.; (US).
HOLMES, Steven, J.; (US).
HORAK, David, V.; (US).
KOBURGER, Charles, W., III; (US)
Mandataire : CANALE, Anthony, J.; International Business Machines Corporation, Intellectual Property Law--Zip 972E, 1000 River Street, Essex Junction, VT 05452 (US)
Données relatives à la priorité :
10/711,764 04.10.2004 US
Titre (EN) LOW-K DIELECTRIC MATERIAL BASED UPON CARBON NANOTUBRES AND METHODS OF FORMING SUCH LOW-K DIELECTRIC MATERIALS
(FR) MATÉRIAU DIÉLECTRIQUE DE FAIBLE K À BASE DE NANOSTRUCTURES DE CARBONE ET PROCÉDÉS DE FORMATION DUDIT MATÉRIAU DIÉLECTRIQUE DE FAIBLE K
Abrégé : front page image
(EN)A low-k dielectric material for use in the manufacture of semiconductor devices, semiconductor structures using the low-k dielectric material, and methods of forming such dielectric materials and fabricating such structures. The low-k dielectric material (14) comprises carbon nanostructures (16), like carbon nanotubes or carbon buckyballs, that are characterized by an insulating electronic state. The carbon nanostructures may be converted to the insulating electronic state either before or after a layer containing the carbon nanostructures is formed on a substrate (10). One approach for converting the carbon nanostructures to the insulating electronic state is fluorination.
(FR)L’invention concerne un matériau diélectrique de faible k pour utilisation dans la fabrication de dispositifs semi-conducteurs, des structures semi-conductrices utilisant le matériau diélectrique de faible k, et des procédés de fabrication dudit matériau diélectrique et de fabrication desdites structures. Le matériau diélectrique de faible k (14) comprend des nanostructures de carbone (16), comme des nanotubes de carbone ou des billes de carbone, caractérisées par un état électronique isolant. On peut faire passer les nanostructures de carbone à l'état électronique isolant avant ou après la formation d’une couche contenant les nanostructures de carbone sur un substrat (10). Une approche pour faire passer des nanostructures de carbone à l'état électronique isolant est la fluoration.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)