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1. (WO2006041659) TRANCHE DE CARBURE DE SILICIUM DE 3 POUCES ET A FAIBLE DISLOCATION EN VIS 1C
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/041659    N° de la demande internationale :    PCT/US2005/034351
Date de publication : 20.04.2006 Date de dépôt international : 27.09.2005
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    17.07.2006    
CIB :
C30B 23/00 (2006.01)
Déposants : CREE, INC. [US/US]; 4600 Silicon Drive, Durham, NC 27703-8475 (US) (Tous Sauf US).
POWELL, Adrian [GB/US]; (US) (US Seulement).
BRADY, Mark [US/US]; (US) (US Seulement).
MUELLER, Stephan, G. [DE/US]; (US) (US Seulement).
TSVETKOV, Valeri, F. [US/US]; (US) (US Seulement).
LEONARD, Robert, Tyler [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : POWELL, Adrian; (US).
BRADY, Mark; (US).
MUELLER, Stephan, G.; (US).
TSVETKOV, Valeri, F.; (US).
LEONARD, Robert, Tyler; (US)
Mandataire : SUMMA, Philip; Summa, Allan & Addition, P.A., 11610 N. Community House Rd., Suite 200, Charlotte, NC 28277 (US)
Données relatives à la priorité :
10/957,806 04.10.2004 US
Titre (EN) LOW 1C SCREW DISLOCATION DENSITY 3 INCH SILICON CARBIDE WAFER
(FR) TRANCHE DE CARBURE DE SILICIUM DE 3 POUCES ET A FAIBLE DISLOCATION EN VIS 1C
Abrégé : front page image
(EN)A high quality single crystal wafer of SiC is disclosed having a diameter of at least about 3 inches and a 1c screw dislocation density of less than about 2000 cm-2.
(FR)L'invention concerne une tranche monocristalline de SiC de haute qualité présentant un diamètre d'au moins 3 pouces et une densité de dislocation en vis 1 c inférieure à environ 2000 cm-2.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)