WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2006041630) CROISSANCE EPITAXIALE SELECTIVE A BASSE TEMPERATURE DE COUCHES DE GERMANIUM DE SILICIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/041630    N° de la demande internationale :    PCT/US2005/033765
Date de publication : 20.04.2006 Date de dépôt international : 21.09.2005
CIB :
H01L 21/26 (2006.01), C23C 14/00 (2006.01)
Déposants : THE BOC GROUP, INC. [US/US]; 575 Mountain Avenue, Murray Hill, NJ 07974 (US)
Inventeurs : MA, Ce; (US).
WANG, Qing, Min; (US)
Mandataire : HEY, David, A.; The BOC Group, Inc., 575 Mountain Avenue, Murray Hill, NJ 07974 (US)
Données relatives à la priorité :
10/957,791 04.10.2004 US
Titre (EN) LOW TEMPERATURE SELECTIVE EPITAXIAL GROWTH OF SILICON GERMANIUM LAYERS
(FR) CROISSANCE EPITAXIALE SELECTIVE A BASSE TEMPERATURE DE COUCHES DE GERMANIUM DE SILICIUM
Abrégé : front page image
(EN)The present invention relates generally to a method and means for growing strained or relaxed or graded silicon germanium (SiGe) layers on a semiconductor substrate using a selective epitaxial growth process. In particular, the present invention provides a method for epitaxially growing SiGe layers at temperatures lower than 600°C by using halogermane and silane precursor materials.
(FR)La présente invention concerne généralement un procédé et un dispositif de croissance de couches de germanium de silicium (SiGe) contraintes ou détendues ou profilées sur un substrat semi-conducteur, au moyen d'un processus de croissance épitaxiale sélective. Notamment, cette invention a pour objet un procédé de croissance épitaxiale de couches de germanium de silicium (SiGe) à des températures inférieures à 600 °C, au moyen de matières de précurseurs d'halogermane et de silane.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)