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1. (WO2006041598) INTERFACE D'ACCES DIRECT EN MEMOIRE DANS DES CIRCUITS INTEGRES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/041598    N° de la demande internationale :    PCT/US2005/031654
Date de publication : 20.04.2006 Date de dépôt international : 07.09.2005
CIB :
G11C 29/00 (2006.01)
Déposants : ATMEL CORPORATION [US/US]; 2325 Orchard Parkway, San Jose, CA 95131 (US) (Tous Sauf US)
Inventeurs : TELECCO, Nicola; (US).
ADUSUMILLI, Vijaya, P.; (US)
Mandataire : SCHNECK, Thomas; Schneck & Schneck, P.O. Box 2-E, San Jose, CA 95109-0005 (US)
Données relatives à la priorité :
10/962,293 08.10.2004 US
Titre (EN) DIRECT MEMORY ACCESS INTERFACE IN INTEGRATED CIRCUITS
(FR) INTERFACE D'ACCES DIRECT EN MEMOIRE DANS DES CIRCUITS INTEGRES
Abrégé : front page image
(EN)A direct memory access interface incorporates setting bit line selection data (450) into a particular storage element (430) of a desired page register element. The selection data and an access enable signal (485) activate a memory access gate (470) to electrically couple a memory access line (490) with a desired memory bit line (410). Individual bit lines are selectable independently and more than one page register element may be selected at a time. Direct access of a memory bit line allows measurement and characterization operations to be carried out electrically with selected memory cells. This direct electrical access allows instrumentation to make voltage and current measurements necessary for characterization operations. Area that would otherwise be incorporated for an address decoder gate at each bit line selector circuit is saved since no on-chip decoding scheme is necessary. Additional area savings are realized since selection data storage are within a bidirectional storage element already present in a page register element.
(FR)L'invention porte sur une interface d'accès direct à la mémoire comprenant la fixation de données de sélection (450) de lignées binaires dans un élément de mémoire spécifique (430) d'un élément de registre de pages désiré. Les données de sélection et un signal de validation d'accès (485) activent une grille d'accès à la mémoire (470) afin de coupler électriquement une ligne d'accès à la mémoire (490) à une lignée de bits désirée (410) de la mémoire. Des lignes de bits individuels peuvent être sélectionnées indépendamment et au moins un élément de registre de pages peut être sélectionné d'affilée. L'accès direct à une ligne de bits de la mémoire permet de réaliser des opérations électriques de mesure et de caractérisation avec des cellules de mémoire sélectionnées. Cet accès direct électrique permet aux instruments d'effectuer des mesures de tension et de courant nécessaires aux opérations de caractérisation. La partie qui aurait dû être incorporée dans une grille de décodeur d'adresse au niveau de chaque circuit de sélection de ligne de bits est sauvegardée du fait qu'un schéma de décodage de microcircuit n'est pas nécessaire. On effectue des sauvegardes additionnelles de partie lorsque des données de sélection sont stockées dans un élément de mémoire bidirectionnel déjà présent dans un élément de registre de pages.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)