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1. (WO2006041576) ETIQUETTE D’IDENTIFICATION PAR RADIOFREQUENCE ET PROCEDE DE FABRICATION DE CELLE-CI
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/041576    N° de la demande internationale :    PCT/US2005/030163
Date de publication : 20.04.2006 Date de dépôt international : 22.08.2005
CIB :
G08B 13/14 (2006.01)
Déposants : TRACKING TECHNOLOGIES, INC. [US/US]; 2301 Congress Street, Portland, ME 04140 (US) (Tous Sauf US)
Inventeurs : CARON, Michael, Roger; (US).
NABLO, Samuel, V.; (US).
FRAZIER, John, Paul; (US)
Mandataire : FARRELL, Kevin, M.; Pierce Atwood LLP, One New Hampshire Avenue, Suite 350, Portsmouth, NH 03801 (US)
Données relatives à la priorité :
10/958,699 05.10.2004 US
Titre (EN) RADIO FREQUENCY IDENTIFICATION TAG AND METHOD OF MAKING THE SAME
(FR) ETIQUETTE D’IDENTIFICATION PAR RADIOFREQUENCE ET PROCEDE DE FABRICATION DE CELLE-CI
Abrégé : front page image
(EN)The present invention describes a process for manufacture of RFID tags. The RFID tag of the present invention includes a substrate, an antenna, and a die positioning structure disposed on the substrate that is cast and cured specifically for receiving a silicon die of the type typically used in RFID applications. The substrate is selected from a number of materials, the properties of which render it penetrable by electron beam radiation. The die positioning structure is a second material which is election beam curate, and which is deposited and cured at high speed on the substrate in a novel fashion in accordance with the present invention in a highly efficient, reproducible and economical manner.
(FR)La présente invention décrit un processus de fabrication d’étiquettes RFID. L’étiquette RFID de la présente invention comprend un substrat, une antenne, et une structure de positionnement de puce disposée sur le substrat qui est moulée et séchée spécifiquement pour recevoir une puce de silicium du type utilisé en règle générale dans des applications RFID. Le substrat est sélectionné parmi un certain nombre de matériaux, dont les propriétés le rendent pénétrable par un rayonnement de faisceau d’électrons. La structure de positionnement de puce est un second matériau qui est durcissable par faisceau d’électrons, et qui est déposé et durci à grande vitesse sur le substrat d’une façon originale selon la présente invention d’une manière très efficace, reproductible et économique.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)