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1. (WO2006041134) ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR À COMPOSÉ DE NITRURE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/041134    N° de la demande internationale :    PCT/JP2005/018881
Date de publication : 20.04.2006 Date de dépôt international : 13.10.2005
CIB :
H01S 5/02 (2006.01)
Déposants : MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (Tous Sauf US).
ANZUE, Naomi; (US Seulement).
YOKOGAWA, Toshiya; (US Seulement).
HASEGAWA, Yoshiaki; (US Seulement)
Inventeurs : ANZUE, Naomi; .
YOKOGAWA, Toshiya; .
HASEGAWA, Yoshiaki;
Mandataire : OKUDA, Seiji; OKUDA & ASSOCIATES, 10th Floor, Osaka Securities Exchange Bldg. 8-16, Kitahama 1-chome, Chuo-ku Osaka-shi, Osaka 5410041 (JP)
Données relatives à la priorité :
2004-300907 15.10.2004 JP
Titre (EN) NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR ELEMENT AND PRODUCTION METHOD THEREFOR
(FR) ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR À COMPOSÉ DE NITRURE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 窒化化合物半導体素子およびその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)A nitride compound semiconductor element comprising a substrate (1) having an upper surface and a lower surface, and a semiconductor laminate structure (40) supported on the upper surface of the substrate (1), the substrate (1) and the semiconductor laminate structure (40) having at least two cleavage surfaces. At least one cleavage inducing member (3) in contact with either one of the two cleavage surfaces is provided, and the size, in a direction parallel to the cleavage surface, of the cleavage inducing member (3) is smaller than the size, in a direction parallel to the cleavage surface, of the upper surface of the substrate (1).
(FR)La présente invention concerne un élément semi-conducteur à composé de nitrure comprenant un substrat (1) ayant une surface supérieure et une surface inférieure, ainsi qu'une structure laminée semi-conductrice (40) supportée sur la surface supérieure du substrat (1), le substrat (1) et la structure laminée semi-conductrice (40) ayant au moins deux surfaces de clivage. Au moins un élément induisant un clivage (3) est en contact avec l’une des deux surfaces de clivage et les dimensions, dans une direction parallèle à la surface de clivage, de l’élément induisant un clivage (3) sont inférieures aux dimensions, dans une direction parallèle à la surface de clivage, de la surface supérieure du substrat (1).
(JA) 本発明の窒化化合物半導体素子は、上面および下面を有する基板1と、基板1の上面に支持される半導体積層構造40とを備え、基板1および半導体積層構造40が少なくとも2つのへき開面を有する窒化化合物半導体素子である。2つのへき開面のいずれかに接する少なくとも1つのへき開誘発部材3を備え、へき開誘発部材3のへき開面に平行な方向のサイズは、基板1の上面のへき開面に平行な方向のサイズよりも小さい。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)