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1. (WO2006041081) DETECTEUR INFRAROUGE ET SON PROCEDE DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/041081    N° de la demande internationale :    PCT/JP2005/018776
Date de publication : 20.04.2006 Date de dépôt international : 12.10.2005
CIB :
G01J 1/02 (2006.01), G01J 5/12 (2006.01), H01L 27/14 (2006.01), H01L 35/14 (2006.01), H01L 35/32 (2006.01)
Déposants : HAMAMATSU PHOTONICS K.K. [JP/JP]; 1126-1, Ichino-cho Hamamatsu-shi Shizuoka 435-8558 (JP) (Tous Sauf US).
SHIBAYAMA, Katsumi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : SHIBAYAMA, Katsumi; (JP)
Mandataire : HASEGAWA, Yoshiki; SOEI PATENT AND LAW FIRM Ginza First Bldg. 10-6, Ginza 1-chome Chuo-ku, Tokyo 104-0061 (JP)
Données relatives à la priorité :
2004-299173 13.10.2004 JP
Titre (EN) INFRARED DETECTOR AND PRODUCTION METHOD THEREFOR
(FR) DETECTEUR INFRAROUGE ET SON PROCEDE DE FABRICATION
(JA) 赤外線検出装置及びその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)An infrared detector (10) comprising a first semiconductor layer (12), a first insulation layer (14) layered on the first semiconductor layer, a second semiconductor layer (16) layered on the first insulation layer and formed with a hollow portion (18) penetrating along the layered direction, an insulation film (20) formed on the inner wall surface (18a) of the hollow portion, and a second insulation layer (22) layered on the second semiconductor layer, for supporting an infrared detection unit so as to face the hollow portion in a layered direction. Since the shape and size of the hollow portion are positively defined by the first insulation layer and the insulation film, the infrared detection unit disposed to face the hollow portion is used to obtain a uniform detection sensitivity on a multiple-element basis and obtain a uniform detection sensitivity among elements in the same lot on a single-element basis. Therefore, the infrared detector and its production method can be realized that can obtain a uniform detection sensitivity on a multiple-element basis and a uniform detection sensitivity among elements in the same lot on a single-element basis.
(FR)L’invention concerne un détecteur infrarouge (10) comprenant une première couche semiconductrice (12), une première couche isolante (14) appliquée sur la première couche semiconductrice, une deuxième couche semiconductrice (16) appliquée sur la première couche isolante et pourvue d’une partie creuse (18) pénétrant le long de la direction des couches, une pellicule isolante (200) formée sur la surface de paroi intérieure (18a) de la partie creuse, et une deuxième couche isolante (22) appliquée sur la deuxième couche semiconductrice pour soutenir un module de détection infrarouge de façon à ce qu’il soit en regard de la partie creuse dans la direction des couches. Comme la forme et la dimension de la partie creuse sont spécifiquement définies par la première couche isolante et la pellicule isolante, le module de détection infrarouge disposé de façon à être en regard de la partie creuse est utilisé pour obtenir une sensibilité de détection uniforme sur la base d’éléments multiples et pour obtenir une sensibilité de détection uniforme entre des éléments dans le même lot sur la base d’un élément individuel. Le détecteur infrarouge et son procédé de fabrication permettent donc d’obtenir une sensibilité de détection uniforme sur la base d’éléments multiples et une sensibilité de détection uniforme entre des éléments dans le même lot sur la base d’un élément individuel.
(JA) 赤外線検出装置10は、第1の半導体層12と、第1の半導体層に積層された第1の絶縁体層14と、第1の絶縁体層上に積層され、積層方向に沿って貫通する空洞部18が形成された第2の半導体層16と、空洞部の内壁面18aに形成された絶縁膜20と、第2の半導体層上に積層され、積層方向において空洞部と対向するように赤外線検出部を支持する第2の絶縁体層22とを備える。この場合、空洞部の形状・大きさは第1の絶縁体層及び絶縁膜によって確実に規定されるので、空洞部と対向する位置に配置された赤外線検出部で、多素子化において均一な検出感度を得ることができ、単一素子では同一ロットにおいて素子間で均一な検出感度を得ることができる。これにより、多素子化において均一な検出感度を得ることができ、単一素子では同一ロットにおいて素子間で均一な検出感度を得ることができる赤外線検出装置及びその製造方法を実現できる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)