WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2006041064) DISPOSITIF DE TEST, METHODE DE TEST, DISPOSITIF ELECTRONIQUE ET METHODE DE FABRICATION DU DISPOSITIF
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/041064    N° de la demande internationale :    PCT/JP2005/018710
Date de publication : 20.04.2006 Date de dépôt international : 11.10.2005
CIB :
G01R 31/317 (2006.01)
Déposants : ADVANTEST CORPORATION [JP/JP]; 1-32-1, Asahi-cho, Nerima-ku, Tokyo 1790071 (JP) (Tous Sauf US).
FURUKAWA, Yasuo [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : FURUKAWA, Yasuo; (JP)
Mandataire : RYUKA, Akihiro; 5F, Shinjuku Square Tower 22-1, Nishi-Shinjuku 6-chome Shinjuku-ku, Tokyo 163-1105 (JP)
Données relatives à la priorité :
2004-298260 12.10.2004 JP
Titre (EN) TEST DEVICE, TEST METHOD, ELECTRONIC DEVICE, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD
(FR) DISPOSITIF DE TEST, METHODE DE TEST, DISPOSITIF ELECTRONIQUE ET METHODE DE FABRICATION DU DISPOSITIF
(JA) 試験装置、試験方法、電子デバイス、及びデバイス生産方法
Abrégé : front page image
(EN)There is provided a test device for testing an electronic device including a field-effect transistor. The test device includes: a power source for supplying power for driving an electronic device; a pattern generation unit for successively generating a plurality of test patterns to be supplied to the electronic device and supplying them to the electronic device; a leak current detection unit for detecting leak current of the field-effect transistor; a voltage control unit for controlling the substrate voltage to be applied to the substrate where the field-effect transistor is provided so that the leak current detected by the leak current detection unit is a predetermined value; and a power current measuring unit for measuring the power source current inputted to the electronic device each time the respective test patterns are applied and judging whether the electronic device is good according to the measured power source current.
(FR)L'invention concerne un dispositif de test pour tester un dispositif électronique incluant un transistor à effet de champ. Le dispositif de test comprend: une source d'alimentation pour alimenter un dispositif électronique; une unité de génération de motifs pour générer successivement une pluralité de motifs de test à fournir au dispositif électronique et les fournir à celui-ci; une unité de détection de courant de fuite pour détecter un courant de fuite du transistor à effet de champ; une unité de commande de tension pour commander la tension à appliquer au substrat où figure le transistor à effet de champ de façon à ce que le courant de fuite détecté par l'unité de détection de courant de fuite atteigne une valeur prédéterminée; et une unité de mesure de courant d'alimentation pour mesurer le courant fourni par la source d'alimentation au dispositif électronique chaque fois que les motifs de test respectifs sont appliqués et juger si le dispositif électronique est bon selon le courant de source d'alimentation mesuré.
(JA) 電界効果トランジスタを含む電子デバイスを試験する試験装置であって、電子デバイスを駆動する電力を供給する電源と、電子デバイスに供給するべき複数の試験パターンを順次発生して供給するパターン発生部と、電界効果トランジスタのリーク電流を検出するリーク電流検出部と、リーク電流検出部が検出したリーク電流が所定の値となるように、電界効果トランジスタが設けられたサブストレートに印加するサブストレート電圧を制御する電圧制御部と、電子デバイスに入力される電源電流を、それぞれの試験パターンが印加される毎に測定し、測定した電源電流に基づいて電子デバイスの良否を判定する電源電流測定部とを備える試験装置を提供する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)