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1. (WO2006041035) CIRCUIT PILOTE EL ORGANIQUE ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE EL ORGANIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/041035    N° de la demande internationale :    PCT/JP2005/018647
Date de publication : 20.04.2006 Date de dépôt international : 07.10.2005
CIB :
G09G 3/30 (2006.01), G09G 3/20 (2006.01), H01L 51/50 (2006.01)
Déposants : ROHM CO., LTD [JP/JP]; 21, Saiin Mizosaki-cho, Ukyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6158585 (JP) (Tous Sauf US).
MAEDE, Jun [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
FUJISAWA, Masanori [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : MAEDE, Jun; (JP).
FUJISAWA, Masanori; (JP)
Mandataire : KAJIYAMA, Tsuyoshi; 8-8-15-201, Nishi-Shinjuku, Shinjuku-ku, Tokyo 1600023 (JP)
Données relatives à la priorité :
2004-298536 13.10.2004 JP
Titre (EN) ORGANIC EL DRIVE CIRCUIT AND ORGANIC EL DISPLAY DEVICE
(FR) CIRCUIT PILOTE EL ORGANIQUE ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE EL ORGANIQUE
(JA) 有機EL駆動回路および有機EL表示装置
Abrégé : front page image
(EN)There is provided an organic EL display device capable of preventing burning of a display screen of the organic EL panel by lowering of an output current of a comparatively high-voltage-proof transistor of a D/A conversion circuit. A plurality of comparatively high-voltage-proof transistors (Q1, Q2) are arranged in series between the output side of a D/A (1) and the output terminal (10a) of the D/A constituting a current mirror circuit while the transistors (TNb to TNn) of the output side of the D/A constituting the current mirror circuit are formed by low-voltage-proof transistors, thereby obtaining analog conversion current at a predetermined output terminal of the D/A. Thus, it is possible to employ a low-voltage-proof elements for the transistors of the output side of the D/A like the transistors of the input side, thereby reducing the area occupied by the D/A.
(FR)L'invention concerne un dispositif d'affichage EL organique pouvant éviter de brûler l'écran d'affichage du panneau LE organique en diminuant le courant de sortie d'un transistor, comparativement résistant à la haute tension, d'un circuit de conversion N/A. Une pluralité de transistors comparativement résistants à la haute tension (Q1, Q2) est disposée en série entre le côté sortie d'un convertisseur N/A (1) et la borne de sortie (10a) du circuit miroir de courant constituant le convertisseur N/A, alors que les transistors (TNb à TNn) du côté sortie du circuit miroir de courant constituant le convertisseur N/A sont constitués de transistors résistants à une faible tension, ce qui permet d'obtenir un courant de conversion analogique à une borne de sortie prédéterminée du convertisseur N/A. Ainsi, il est possible d'utiliser des éléments résistants à une faible tension pour les transistors côté sortie du convertisseur N/A tels les transistors côté entrée, et de réduire ainsi la zone occupée par le convertisseur N/A.
(JA)not available
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)