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1. (WO2006040918) COMPOSITION DE FORMATION DE FILM ANTIREFLET LITHOGRAPHIQUE, CONTENANT UNE STRUCTURE ANNULAIRE AROMATIQUE AZOTÉE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/040918    N° de la demande internationale :    PCT/JP2005/017613
Date de publication : 20.04.2006 Date de dépôt international : 26.09.2005
CIB :
G03F 7/11 (2006.01), H01L 21/027 (2006.01)
Déposants : NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 7-1, Kandanishiki-cho 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1010054 (JP) (Tous Sauf US).
ENOMOTO, Tomoyuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HIROI, Yoshiomi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NAKAYAMA, Keisuke [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : ENOMOTO, Tomoyuki; (JP).
HIROI, Yoshiomi; (JP).
NAKAYAMA, Keisuke; (JP)
Mandataire : HANABUSA, Tsuneo; c/o Hanabusa Patent Office Shin-Ochanomizu Urban Trinity 2, Kandasurugadai 3-chome Chiyoda-ku Tokyo 1010062 (JP)
Données relatives à la priorité :
2004-297641 12.10.2004 JP
Titre (EN) COMPOSITION FOR FORMING OF LITHOGRAPHIC ANTIREFLECTION FILM, CONTAINING NITROGENOUS AROMATIC RING STRUCTURE
(FR) COMPOSITION DE FORMATION DE FILM ANTIREFLET LITHOGRAPHIQUE, CONTENANT UNE STRUCTURE ANNULAIRE AROMATIQUE AZOTÉE
(JA) 含窒素芳香環構造を含むリソグラフィー用反射防止膜形成組成物
Abrégé : front page image
(EN)An antireflection film that exhibits a high antireflection effect, being free from any intermixing with photoresist, and that has a dry etching rate greater than that of photoresist, being available in a lithographic process for production of semiconductor devices; and a composition for forming of such an antireflection film. There is provided a composition for forming of lithographic antireflection film, comprising a reaction product, a crosslinking compound, a crosslinking catalyst and a solvent, wherein the reaction product is obtained by polyaddition reaction between an epoxy compound having two glycidyl groups and a nitrogenous aromatic compound having two thiol or hydroxyl groups.
(FR)L’invention concerne un film antireflet présentant un effet antireflet élevé, exempt de tout mélange avec un photorésist, et dont la vitesse d’attaque chimique à sec est supérieure à celle du photorésist, étant disponible dans un processus lithographique pour la fabrication de dispositifs semi-conducteurs; et une composition pour élaborer un tel film antireflet. L’invention concerne une composition de formation de film antireflet lithographique, comprenant un produit de réaction, un composé de réticulation, un catalyseur de réticulation et un solvant, où le produit de réaction s’obtient par une réaction de polyaddition entre un composé époxy ayant deux groupes glycidyle et un composé aromatique azoté ayant deux groupes thiol ou hydroxyle.
(JA)not available
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)