WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2006040739) MIROIR DE COURANT D'EXTREMITE SUPERIEURE A ENSEMBLE DE TRANSISTORS EXCLUSIVEMENT DE TYPE N
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/040739    N° de la demande internationale :    PCT/IB2005/053370
Date de publication : 20.04.2006 Date de dépôt international : 13.10.2005
CIB :
G05F 3/26 (2006.01)
Déposants : KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS, N.V. [NL/NL]; Groenewoudseweg 1, NL-5621 BA Eindhoven (NL) (Tous Sauf US).
U.S. PHILIPS CORPORATION [US/US]; 1251 Avenue of the Americas, New York, NY 10020 (US) (AE only).
GRILLO, Giuseppe [NL/NL]; (NL) (US Seulement).
SANDULEANU, Mihai [NL/NL]; (NL) (US Seulement).
BREKELMANS, Hans [NL/NL]; (NL) (US Seulement)
Inventeurs : GRILLO, Giuseppe; (NL).
SANDULEANU, Mihai; (NL).
BREKELMANS, Hans; (NL)
Mandataire : ZAWILSKI, Peter; NXP Semiconductors, Intellectual Property Department, 1109 McKay Drive, M/S-41SJ, San Jose, CA 95131-1706 (US)
Données relatives à la priorité :
60/618,564 13.10.2004 US
Titre (EN) ALL N-TYPE TRANSISTOR HIGH-SIDE CURRENT MIRROR
(FR) MIROIR DE COURANT D'EXTREMITE SUPERIEURE A ENSEMBLE DE TRANSISTORS EXCLUSIVEMENT DE TYPE N
Abrégé : front page image
(EN)The present invention relates to an all n-type transistor current mirror for mirroring an input current to an output current. The current mirror comprises an input n-type transistor (T4, QO, Tl) interposed between a positive supply plane (VCC) and an input node (104, 202, 310) with its collector being connected to the positive supply plane (VCC) and its emitter being connected to the input node (104, 202, 310). An output n-type transistor (T3, Q1, T2) is interposed between the positive supply plane (VCC) and an output node (106, 204, 314) with its collector being connected to the positive supply plane (VCC) and its emitter being connected to the output node (106, 204, 314). A feedback circuit equals base-emitter voltages of the input (T4, QO, T1) and the output transistor (T3, Q1, T2) in order to mirror the emitter current of the input transistor (T4, QO, T 1) to the emitter current of the output transistor (T3, Q1, T2). The all n-type transistor current mirror is highly advantageous by overcoming the shortcomings of technologies such as MOBI3, GaAs, and InP of being unable to provide p-type transistors.
(FR)La présente invention a trait à un miroir de courant à ensemble exclusivement de type n pour la réflexion d'un courant d'entrée en un courant de sortie. Le miroir de courant comporte un transistor d'entrée de type n (T4, Q0, T1) interposé entre une plan d'alimentation positive (VCC) et un noeud d'entrée (104, 202, 310) dont le collecteur est relié à un plan d'alimentation positive (VCC) et dont émetteur est relié au noeud d'entrée (104, 202, 310). Un transistor de sortie de type n (T3, Q1, T2) est interposé entre le plan d'alimentation positive (VCC) et un noeud de sortie (106, 204, 314) dont le collecteur est relié au plan d'alimentation positive (VCC) et dont l'émetteur est relié au noeud de sortie (106, 204, 314). Un circuit de rétroaction égalise des tensions d'émetteur de base du transistor d'entrée (T4, Q0, T1) et du transistor de sortie (T3, Q1, T2) en vue de la réflexion du courant émetteur du transistor d'entrée (T4, Q0, T1) vers le courant émetteur du transistor de sortie (T3, Q1, T2). Le miroir de courant à ensemble de transistors exclusivement de type n est très avantageux par le fait qu'il élimine toutes les faiblesses des technologies telles que MOBI3, GaAs et InP ne pouvant pas fournir des transistors de type p.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)