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1. (WO2006040613) PROCEDE DE DEPOT PERMETTANT DE REDUIRE LES CONTAMINANTS DANS UN FAISCEAU IONIQUE AUXILIAIRE ET DISPOSITIF ASSOCIE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/040613    N° de la demande internationale :    PCT/IB2004/003574
Date de publication : 20.04.2006 Date de dépôt international : 13.10.2004
CIB :
C23C 14/46 (2006.01)
Déposants : XENOCS [FR/FR]; 19 rue François Blumet, F-38360 Sassenage (FR) (Tous Sauf US).
HOGHOJ, Peter [FR/FR]; (FR) (US Seulement).
PARASKEVI, Dova [FR/FR]; (FR) (US Seulement).
MONTCALM, Claude [FR/FR]; (FR) (US Seulement).
RODRIGUES, Sergio [FR/FR]; (FR) (US Seulement)
Inventeurs : HOGHOJ, Peter; (FR).
PARASKEVI, Dova; (FR).
MONTCALM, Claude; (FR).
RODRIGUES, Sergio; (FR)
Mandataire : MARTIN, Jean-Jacques,; Cabinet Regimbeau, 20, rue de Chazelles, F-75847 Paris Cedex 17 (FR)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) METHOD OF DEPOSITION WITH REDUCTION OF CONTAMINANTS IN AN ION ASSIST BEAM AND ASSOCIATED APPARATUS
(FR) PROCEDE DE DEPOT PERMETTANT DE REDUIRE LES CONTAMINANTS DANS UN FAISCEAU IONIQUE AUXILIAIRE ET DISPOSITIF ASSOCIE
Abrégé : front page image
(EN)The invention relates to a dual Ion Beam Sputtering method for depositing onto a substrate (S) material generated by the sputtering of a target (121-123) by a sputtering ion beam (110), said method comprising the operation of an assistance ion beam (130) directed onto said substrate in order to assist the deposition of material, said method being characterized in that during the operation of said assistance beam said sputtering beam is also operated in association with said assistance beam, and during said operation of the sputtering beam in association with the assistance beam the sputtering beam crosses a desired part of the assistance beam in order to transport contaminants associated to said desired part of the assistance beam away from said substrate.
(FR)L'invention concerne un procédé de pulvérisation utilisant deux faisceaux ioniques pour déposer sur un substrat (S) une matière produite par la pulvérisation d'une cible (121-123) au moyen d'un faisceau ionique (110) de pulvérisation. Le procédé comporte l'étape consistant à actionner un faisceau (130) ionique auxiliaire dirigé vers le substrat pour faciliter le dépôt de la matière. Le procédé est caractérisé en ce que pendant que le faisceau auxiliaire est actionné, le faisceau de pulvérisation est également actionné en association avec le faisceau auxiliaire; et pendant que le faisceau de pulvérisation est actionné en association avec le faisceau auxiliaire, le faisceau de pulvérisation croise une partie voulue du faisceau auxiliaire de manière à transporter loin du substrat les contaminants associés à la partie voulue du faisceau auxiliaire.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)