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1. (WO2006040500) PROCEDE DE REALISATION D'HETEROSTRUCTURES RESONNANTES A TRANSPORT PLANAIRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/040500    N° de la demande internationale :    PCT/FR2005/050845
Date de publication : 20.04.2006 Date de dépôt international : 12.10.2005
CIB :
H01L 29/88 (2006.01), H01L 21/329 (2006.01), H01L 29/15 (2006.01), H01L 29/32 (2006.01)
Déposants : COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE [FR/FR]; 25, rue Leblanc, Immeuble "Le Ponant" D", 75015 Paris (FR) (Tous Sauf US).
EYMERY, Joël [FR/FR]; (FR) (US Seulement).
GENTILE, Pascal [FR/FR]; (FR) (US Seulement)
Inventeurs : EYMERY, Joël; (FR).
GENTILE, Pascal; (FR)
Mandataire : LEHU, Jean; BREVATOME, 3, rue du Docteur Lancereaux, F-75008 PARIS (FR)
Données relatives à la priorité :
0410761 12.10.2004 FR
Titre (EN) METHOD FOR PRODUCING PLANAR TRANSPORTING RESONANCE HETEROSTRUCTURES
(FR) PROCEDE DE REALISATION D'HETEROSTRUCTURES RESONNANTES A TRANSPORT PLANAIRE
Abrégé : front page image
(EN)The invention relates to an electron transporting device comprising at least one transporting layer (6) in which at least one periodical dislocation and/or failure network and means (4) for guiding electrons in said transporting layer are formed.
(FR)L'invention concerne un dispositif de transport d'électrons, comportant : au moins une couche (6) de transport dans laquelle est réalisé au moins un réseau périodique de dislocations et/ou de défauts, des moyens (4) de guidage des électrons dans ladite couche de transport.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : français (FR)
Langue de dépôt : français (FR)