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1. (WO2006039679) CAPTEUR AU SILICIUM SENSIBLE ET STRUCTURE D'ESSAI D'UN CAPTEUR AU SILICIUM ULTRA SENSIBLE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/039679    N° de la demande internationale :    PCT/US2005/035570
Date de publication : 13.04.2006 Date de dépôt international : 04.10.2005
CIB :
G01J 5/20 (2006.01)
Déposants : NORTHROP GRUMMAN CORPORATION [US/US]; 1840 Century Park East, Los Angeles, California 90067-2199 (US) (Tous Sauf US).
BLUZER, Nathan [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : BLUZER, Nathan; (US)
Mandataire : GATES, William L.; 8110 Gatehouse Road, Suite 100 East, P.o. Box 747, Falls Church, Virginia 22042 (US)
Données relatives à la priorité :
60/614,971 04.10.2004 US
Titre (EN) SENSITIVE SILICON SENSOR AND TEST STRUCTURE FOR AN ULTRA-SENSITIVE SILICON SENSOR
(FR) CAPTEUR AU SILICIUM SENSIBLE ET STRUCTURE D'ESSAI D'UN CAPTEUR AU SILICIUM ULTRA SENSIBLE
Abrégé : front page image
(EN)A thermal radiation sensor is disclosed herein a semiconductor thermocouple comprised of a pair of silicon diodes is connected in back-to-back relationship, with one of the diodes being located in a detector stage. The other diode is located in a heat bath stage together with a sensed temperature difference amplifier. The detector stage is thermally isolated from the heat bath stage by a low thermal conductivity link that includes electrical wires which connect the back-to-back diodes to the amplifier.
(FR)L'invention concerne un capteur de rayonnement thermique, dans lequel un thermocouple semi-conducteur constitué d'une paire de diodes au silicium est relié dos-à-dos à l'une des diodes située dans un étage de détection. L'autre diode se trouve dans un étage de bain thermique avec un amplificateur différentiel de température captée. L'étage de détection est thermiquement isolée de l'étage de bain thermique par un lien de faible conductivité thermique comportant des câbles électriques qui relient dos-à-dos les diodes à l'amplificateur.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)