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1. (WO2006039677) DOPAGE DE SEMI-CONDUCTEURS AVEC INCLINAISON DU SUBSTRAT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/039677    N° de la demande internationale :    PCT/US2005/035562
Date de publication : 13.04.2006 Date de dépôt international : 03.10.2005
CIB :
H01L 21/265 (2006.01), H01L 21/425 (2006.01)
Déposants : TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED [US/US]; P.O. Box 655474, Mail Station 3999, Dallas, TX 75265-5474 (US) (Tous Sauf US).
GHNEIM, Said [US/US]; (US) (US Seulement).
BERNSTEIN, James, D. [US/US]; (US) (US Seulement).
ROBERTSON, Lance, S. [US/US]; (US) (US Seulement).
XU, Jiejie [US/US]; (US) (US Seulement).
LOEWECKE, Jeffrey [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : GHNEIM, Said; (US).
BERNSTEIN, James, D.; (US).
ROBERTSON, Lance, S.; (US).
XU, Jiejie; (US).
LOEWECKE, Jeffrey; (US)
Mandataire : FRANZ, Warren, L.; Texas Instruments Incorporated, P.O. Box 655474, M/S 3999, Dallas, TX 75265-5474 (US)
Données relatives à la priorité :
10/956,583 01.10.2004 US
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DOPING USING SUBSTRATE TILTING
(FR) DOPAGE DE SEMI-CONDUCTEURS AVEC INCLINAISON DU SUBSTRAT
Abrégé : front page image
(EN)Provided are a method for implanting a dopant in a substrate and a method for manufacturing a semiconductor device utilizing such implantation. The method for implanting a dopant, among other steps, includes: tilting a substrate (310) located on or over an implant platen (305) about an axis in a first direction with respect to an implant source (320) and implanting a portion of an implant dose with the substrate (310) tilted in the first direction; then, tilting the substrate (310) in a second direction, counter to the first direction, and implanting another portion of the implant dose with the substrate (310) tilted in the second direction.
(FR)Procédé d'implantation d'un dopant et de fabrication d'un dispositif à semi-conducteurs au moyen d'une telle implantation. Le procédé d'implantation du dopant englobe notamment les opérations suivantes: inclinaison d'un substrat (310) situé sur ou au-dessus d'une platine d'implantation (305) sur un axe selon une première direction par rapport à la source d'implant (320) et implantation d'une partie de la dose d'implant avec le substrat (310) incliné dans une première direction; puis inclinaison du substrat (310) dans une seconde direction opposée à la première direction et implantation d'une autre partie de la dose d'implant avec le substrat (310) incliné dans la seconde direction.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)