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1. (WO2006039669) FUSIBLE ELECTRONIQUE AVEC JONCTION P-N A POLARISATION INVERSE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/039669    N° de la demande internationale :    PCT/US2005/035534
Date de publication : 13.04.2006 Date de dépôt international : 30.09.2005
CIB :
H01L 29/72 (2006.01), H01L 29/00 (2006.01), H01L 23/58 (2006.01), H01L 21/82 (2006.01), H01L 21/8238 (2006.01)
Déposants : TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED [US/US]; P.O. Box 655474, Mail Station 3999, Dallas, TX 75265-5474 (US) (Tous Sauf US).
MEHRAD, Freidoon [IR/US]; (US) (US Seulement).
ROUSE, Richard [US/US]; (US) (US Seulement).
CHURCHILL, Robert, B. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : MEHRAD, Freidoon; (US).
ROUSE, Richard; (US).
CHURCHILL, Robert, B.; (US)
Mandataire : FRANZ, Warren, L.; Texas Instruments Incorporated, P.O. Box 655474, Mail Station 3999, Dallas, TX 75265-5474 (US)
Données relatives à la priorité :
10/954,926 30.09.2004 US
Titre (EN) E-FUSE WITH REVERSE BIAS P-N JUNCTION
(FR) FUSIBLE ELECTRONIQUE AVEC JONCTION P-N A POLARISATION INVERSE
Abrégé : front page image
(EN)An e-fuse (200) for an integrated circuit is formed with a reverse P-N junction in the semiconductor body (205) between fuse contacts (235) and below the conductive (for example, silicide) layer (230), so that when the fuse is blown (that is, the conductive layer melts), conduction through the underlying body is prevented.
(FR)L'invention concerne un fusible électronique (200) destiné à un circuit intégré et formé avec une jonction P-N dans le corps de semi-conducteur (205) entre des contacts de fusible (235) et sous la couche conductrice (230) (par ex., de siliciure). Ainsi, lorsque le fusible est grillé (c'est-à-dire, lorsque la couche conductrice fond), la conduction à travers le corps sous-jacent est impossible.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)