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1. (WO2006039632) PILES DE GRILLE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/039632    N° de la demande internationale :    PCT/US2005/035455
Date de publication : 13.04.2006 Date de dépôt international : 30.09.2005
CIB :
H01L 23/48 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 21/4763 (2006.01), H01L 21/302 (2006.01), H01L 21/469 (2006.01)
Déposants : INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION [US/US]; New Orchard Road, Armonk, NY 10504 (US) (Tous Sauf US).
MARTIN, Dale, W. [US/US]; (US) (US Seulement).
SHANK, Steven, M. [US/US]; (US) (US Seulement).
TRIPLETT, Michael, C. [US/US]; (US) (US Seulement).
TUCKER, Deborah, A. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : MARTIN, Dale, W.; (US).
SHANK, Steven, M.; (US).
TRIPLETT, Michael, C.; (US).
TUCKER, Deborah, A.; (US)
Mandataire : SABO, William, D.; International Business Machines Corporation, Intellectual Property Law - Zip 972E, 1000 River Street, Essex Junction, VT 05452 (US)
Données relatives à la priorité :
10/711,742 01.10.2004 US
Titre (EN) GATE STACKS
(FR) PILES DE GRILLE
Abrégé : front page image
(EN)A structure and fabrication method for a gate stack used to define source/drain regions in a semiconductor substrate (110). The method comprises (a) forming a gate dielectric layer (120) on top of the substrate (110), (b) forming a gate polysilicon layer (130) on top of the gate dielectric layer (120), (c) implanting n-type dopants in a top layer (130a) of the gate polysilicon layer (130), (d) etching away portions of the gate polysilicon layer (130) and the gate dielectric layer (120) so as to form a gate stack (132, 134, 122) on the substrate (110), and (e) thermally oxidizing side walls of the gate stack (132, 134, 122) with the presence of a nitrogen-carrying gas. As a result, a diffusion barrier layer (170) is formed at the same depth in the polysilicon material of the gate stack (132, 134, 122) regardless of the doping concentration. Therefore, the n-type doped region (132) of the gate stack has the same width as that of the undoped region (134) of the gate stack (132, 134, 122.).
(FR)Structure et procédé de fabrication d'une pile de grille servant à définir des régions source/drain dans un substrat semi-conducteur (110). Le procédé consiste à (a) former une couche diélectrique de grille (120) sur la partie supérieure du substrat (110), (b) former une couche de polysilicium de grille (130) sur la partie supérieure de la couche diélectrique (120), (c) implanter des dopants de type n dans une couche supérieure (130a) de la couche de polysilicium de grille (130), (d) graver des parties de la couche de polysilicium de grille (130) et de la couche diélectrique de grille (120) de manière à former une pile de grille (132, 134, 122) sur le substrat (110), et (e) oxyder thermiquement les parois latérales de la pile de grille (132, 134, 122) en présence d'un gaz porteur d'azote. On obtient ainsi une couche barrière de diffusion (170) à la même profondeur dans la matière de polysilicium de la pile de grille (132, 134, 122) indépendamment de la concentration de dopage. En conséquence, la région dopée de type n (132) de la pile de grille comprend la même largeur que celle de la région non dopée (134) de la pile de grille (132, 134, 122.).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)