WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2006039370) CELLULE DE MEMOIRE A FUSIBLE COMPRENANT UNE DIODE, LA DIODE SERVANT DE FUSIBLE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/039370    N° de la demande internationale :    PCT/US2005/034936
Date de publication : 13.04.2006 Date de dépôt international : 28.09.2005
CIB :
G11C 11/14 (2006.01), G11C 11/00 (2006.01), G11C 11/15 (2006.01), G11C 17/18 (2006.01), H01L 29/43 (2006.01)
Déposants : MATRIX SEMICONDUCTOR [US/US]; 3230 Scott Blvd, Santa Clara, CA 95054 (US) (Tous Sauf US).
PETTI, Christopher J. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : PETTI, Christopher J.; (US)
Mandataire : SQUYRES, Pamela, J.; Matrix Semiconductor, 3230 Scott Blvd., Santa Clara, CA 95054 (US)
Données relatives à la priorité :
10/955,387 29.09.2004 US
Titre (EN) FUSE MEMORY CELL COMPRISING A DIODE, THE DIODE SERVING AS THE FUSE ELEMENT
(FR) CELLULE DE MEMOIRE A FUSIBLE COMPRENANT UNE DIODE, LA DIODE SERVANT DE FUSIBLE
Abrégé : front page image
(EN)A memory cell (3) is formed of a semiconductor junction diode (30) interposed between conductors (20, 40). The cell is programme by rendering the memory cell very high-resistance, such that current no longer flows between the conductors (20, 40) on the application of a read voltage. In this cell the diode behaves as a fuse. The semiconductor junction diode (30) comprises silicon, the silicon crystallized in contact with a suicide. The suicide may provide a template for crystallization, decreasing the defect density of the silicon and improving its conductivity. It is advantageous to reduce a dielectric layer (such as oxide, nitride, or oxynitride) intervening bet the silicon and the silicon-forming metal during the step of forming the suicide.
(FR)L'invention porte sur une cellule de mémoire qui est constituée d'une diode à jonction à semi-conducteurs placée entre des conducteurs. La cellule est programmée pour que lui soit restituée une très haute résistance de sorte que le courant ne s'écoule plus entre les conducteurs lors de l'application d'une tension de lecture. Dans cette cellule, la diode se comporte comme un fusible. La diode à jonction à semi-conducteurs comprend du silicium, le silicium étant cristallisé au contact avec un siliciure. Le siliciure peut former un gabarit de cristallisation, réduire la densité des défauts du silicium et améliorer sa conductivité. Il est avantageux de réduire une couche diélectrique (tel qu'un oxyde, un nitrure ou un oxynitrure) intervenant entre le silicium et le métal formant le silicium au cours de l'étape de formation du siliciure.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)