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1. (WO2006039176) PUCE PRESENTANT UN COEFFICIENT D'EXPANSION THERMIQUE EFFICACE EQUIVALENT A CELUI D'UN SUBSTRAT ASSOCIE, ET PROCEDES DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/039176    N° de la demande internationale :    PCT/US2005/033928
Date de publication : 13.04.2006 Date de dépôt international : 21.09.2005
CIB :
H01L 23/373 (2006.01)
Déposants : INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard, Santa Clara, CA 95052 (US) (Tous Sauf US).
HU, Chuan [CN/US]; (US) (US Seulement).
TOWLE, Steven [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : HU, Chuan; (US).
TOWLE, Steven; (US)
Mandataire : STEFFEY, Charles, E.; Schwegman, Lundberg, Woessner & Kluth, P.A., P.O. Box 2938, Minneapolis, MN 55402 (US)
Données relatives à la priorité :
10/956,621 30.09.2004 US
Titre (EN) DIE EXHIBITING AN EFFECTIVE COEFFICIENT OF THERMAL EXPANSION EQUIVALENT TO A SUBSTRATE MOUNTED THEREON, AND PROCESSES OF MAKING SAME
(FR) PUCE PRESENTANT UN COEFFICIENT D'EXPANSION THERMIQUE EFFICACE EQUIVALENT A CELUI D'UN SUBSTRAT ASSOCIE, ET PROCEDES DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)A thinned die is disposed on a heat sink and bonded by a thermal interface material (TIM) that includes a gold-tin solder. The thinned die exhibits a die-effective coefficient of thermal expansion (CTE) that substantially matches the CTE of the heat sink. A process of bonding the die includes thermal bonding. A process of bonding the thinned die to a heat sink before bonding the die to an electrical interposer. A computing system includes a semconductive die that is gold-tin bonded to the heat sink, and it is coupled to at least one input-output device.
(FR)L'invention concerne une puce amincie disposée sur un dissipateur thermique et liée par un matériau d'interface thermique (TIM) contenant une soudure or-étain. La puce amincie présente un coefficient d'expansion thermique (CTE) correspondant sensiblement au CTE du dissipateur thermique. L'invention concerne également un procédé de liaison de la puce consistant à réaliser une liaison thermique. L'invention concerne également un procédé de liaison de la puce amincie et du dissipateur thermique avant la liaison de la puce à un interposeur électrique. Un système de calcul comprend une puce semi-conductrice or-étain liée au dissipateur thermique et couplée à au moins un dispositif d'entrée-sortie.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)