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1. (WO2006039065) METHODE DE FORMATION DE CRISTAUX EN NITRURE DU GROUPE III
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/039065    N° de la demande internationale :    PCT/US2005/031621
Date de publication : 13.04.2006 Date de dépôt international : 01.09.2005
CIB :
C30B 11/00 (2006.01)
Déposants : THE GOVERNMENT OF THE UNITED STATES OF AMERICA, AS REPRESENTED BY THE SECRETARY OF THE NAVY [US/US]; Naval Research Laboratory, 4555 Overlook Avenue, Sw, Code 1008.2, Washington, DC 20375 (US) (Tous Sauf US).
FEIGELSON, Boris, N. [US/US]; (US) (US Seulement).
HENRY, Richard, L. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : FEIGELSON, Boris, N.; (US).
HENRY, Richard, L.; (US)
Mandataire : KARASEK, John, J.; Associate Counsel (Patents), Naval Research Laboratory, 4555 Overlook Avenue, SW, Washington, DC 20375-5325 (US)
Données relatives à la priorité :
60/610,866 03.09.2004 US
Titre (EN) METHOD OF GROWING GROUP III NITRIDE CRYSTALS
(FR) METHODE DE FORMATION DE CRISTAUX EN NITRURE DU GROUPE III
Abrégé : front page image
(EN)In one embodiment, this invention pertains to a process for making single crystal gallium nitride in the region of the phase diagram of gallium nitride where gallium nitride is thermodynamically stable. The process includes the steps of placing a charged reaction vessel into a chamber, the reaction vessel containing a gallium nitride source and a slat-based solvent in contact therewith; heating the charge in the reaction vessel to render the solvent molten and to provide a temperature gradient in the molten solvent between the gallium nitride source and the growing single crystal gallium nitride in such a way that growing the single crystal gallium nitride will be in the region of the reaction vessel which, under operating conditions, will have a temperature near the low end of the temperature gradient and the gallium nitride source will be in the region of the reaction vessel which, under operating conditions, will have temperature near the high end of the temperature gradient; maintaining process conditions whereby the solvent is molten, with the gallium nitride from the gallium nitride source dissolving in the solvent under the impetus of the temperature gradient; precipitating gallium nitride out of the solvent; and discontinuing the heating step.
(FR)Dans un mode de réalisation, cette invention concerne un procédé de fabrication de nitrure de gallium à cristal unique dans la zone du diagramme de phase de nitrure de gallium. Le nitrure de gallium de l'invention est thermodynamiquement stable. Le procédé de l'invention comprend les étapes consistant à: placer un contenant réactionnel chargé dans un compartiment, ce contenant réactionnel contenant une source de nitrure de gallium et un solvant à base de sel en contact avec cette source; chauffer la charge dans le contenant réactionnel pour faire fondre le solvant et pour obtenir un gradient de température dans le solvant fondu situé entre la source de nitrure de gallium et le nitrure de gallium à cristal unique en formation, de sorte que le nitrure de gallium à cristal unique en formation se trouve dans la zone du contenant réactionnel qui, dans certaines conditions de fonctionnement, se trouve à une température proche de celle de l'extrémité inférieure du gradient de température, et que la source de nitrure de gallium se trouve dans une zone du contenant réactionnel qui, dans certains conditions fonctionnelles, présente une température proche de celle de l'extrémité supérieure du gradient de température; maintenir des conditions de procédé dans lesquelles le solvant est fondu, le nitrure de gallium provenant de la source de nitrure de gallium se dissolvant dans le solvant sous l'impulsion du gradient de température; ce qui provoque la précipitation du nitrure de gallium à partir du solvant; et arrêter l'étape de chauffage.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)