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1. (WO2006038703) APPAREIL A CIRCUIT DE RACCORDEMENT EN SEMICONDUCTEUR ET ALLUMEUR L’INCORPORANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/038703    N° de la demande internationale :    PCT/JP2005/018718
Date de publication : 13.04.2006 Date de dépôt international : 04.10.2005
CIB :
F42B 3/13 (2006.01)
Déposants : NIPPONKAYAKU KABUSHIKIKAISHA [JP/JP]; 11-2, Fujimi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo, 1028172 (JP) (Tous Sauf US).
MAEDA, Shigeru [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MUKUNOKI, Hirotaka [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : MAEDA, Shigeru; (JP).
MUKUNOKI, Hirotaka; (JP)
Mandataire : SUGIMURA, Kosaku; 7F, Kazan Building, 2-4, Kasumigaseki 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000013 (JP)
Données relatives à la priorité :
2004-290993 04.10.2004 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR BRIDGE CIRCUIT APPARATUS AND IGNITER INCLUDING THE SAME
(FR) APPAREIL A CIRCUIT DE RACCORDEMENT EN SEMICONDUCTEUR ET ALLUMEUR L’INCORPORANT
(JA) 半導体電橋装置および半導体電橋装置を備える点火具
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor bridge circuit apparatus that realizes short reaction time before spark emission and also realizes a large amount of spark emitted. There is provided a semiconductor bridge circuit apparatus comprising a substrate and, superimposed thereon, a pair of land portions and a bridge circuit portion for electrically connecting of the pair of land portions, the semiconductor bridge circuit apparatus adapted to emit sparks at the bridge circuit portion upon current passage through an electrode pad disposed on the upper surface of the pair of land portions, wherein the pair of land portions and the bridge circuit portion are constituted of a layer laminate composed of, piled one upon another, multiple metal layers and metal oxide layers, and wherein the uppermost layer of the layer laminate is a metal layer, the metal oxide of the metal oxide layers being one of > 1500°C decomposition temperature.
(FR)L’invention concerne un appareil à circuit de raccordement en semiconducteur présentant un court temps de réaction avant l’émission d’étincelles et émettant une grande quantité d’étincelles. L’appareil à circuit de raccordement en semiconducteur comprend un substrat sur lequel sont superposées une paire de parties de plages de connexion et une partie de circuit de raccordement pour assurer la connexion électrique de la paire de parties de plages de connexion, l’appareil à circuit de raccordement en semiconducteur étant conçu pour émettre des étincelles au niveau de la partie de circuit de raccordement lors du passage d’un courant dans une pastille d’électrode disposée sur la surface supérieure de la paire de parties de plages de connexion, et étant caractérisé en ce que la paire de parties de plages de connexion et la partie de circuit de raccordement sont constituées d’un stratifié de couches constitué d’un empilement de couches métalliques et de couches d’oxyde métallique multiples, et en ce que la couche du dessus du stratifié de couches est une couche métallique, l’oxyde métallique des couches d’oxyde métallique possédant une température de décomposition supérieure à 1500°C.
(JA)火花発生までの反応時間が短く、かつ火花発生量も大きい半導体電橋装置を提供する。基板上に、一対のランド部分と該一対のランド部分を電気的に接続する電橋部を有し、該一対のランド部分の上面に配設した電極パッドを介して通電することにより、該電橋部において火花を発生させる半導体電橋装置であって、該一対のランド部分および該電橋部が、金属層と金属酸化物層を交互に複数組重ね合わせたラミネート層からなり、該ラミネート層の最上層を金属層にすると共に、該金属酸化物層として分解温度が1500℃超の金属酸化物を用いる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)