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1. (WO2006038672) APPAREIL DE TRAITEMENT A PLASMA MICRO-ONDE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/038672    N° de la demande internationale :    PCT/JP2005/018545
Date de publication : 13.04.2006 Date de dépôt international : 06.10.2005
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    04.08.2006    
CIB :
H05H 1/46 (2006.01), C23C 16/511 (2006.01), H01L 21/31 (2006.01)
Déposants : TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-6, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1078481 (JP) (Tous Sauf US).
TIAN, Caizhong [CN/JP]; (JP) (US Seulement).
NOZAWA, Toshihisa [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : TIAN, Caizhong; (JP).
NOZAWA, Toshihisa; (JP)
Mandataire : YOSHITAKE, Kenji; Kyowa Patent & Law Office, Room 323, Fuji Bldg., 2-3, Marunouchi 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 100-0005 (JP)
Données relatives à la priorité :
2004-294997 07.10.2004 JP
Titre (EN) MICROWAVE PLASMA PROCESSING APPARATUS
(FR) APPAREIL DE TRAITEMENT A PLASMA MICRO-ONDE
(JA) マイクロ波プラズマ処理装置
Abrégé : front page image
(EN)A microwave plasma processing apparatus which easily ensures uniformity and stability of plasma in response to changes of process conditions and the like. The microwave plasma processing apparatus (100) generates plasma of a process gas in a chamber by microwave and performs plasma processing to a work to be processed by using the plasma. On a plate (27) composed of a conductor covering the outer circumference of a microwave transmitting board (28), two or more holes (42) for propagating microwave from an edge part to an inner part of the microwave transmitting board (28) are formed. Volume adjusting mechanisms (43, 45) adjust the volume of the holes to adjust impedance of each unit when the microwave transmitting board (28) is divided by unit to which each of the holes (42) belongs, and electric field distribution of the microwave transmitting board (28) is controlled.
(FR)Appareil de traitement à plasma micro-onde qui garantit facilement l’uniformité et la stabilité d’un plasma en réponse à des changements de conditions de processus et similaires. L’appareil de traitement à plasma (100) génère le plasma d’un gaz de traitement dans une chambre par des micro-ondes et effectue un traitement à plasma sur un travail à traiter à l’aide du plasma. Sur une plaque (27) composée d’un conducteur recouvrant la circonférence externe d’une carte d’émission de micro-ondes (28), deux orifices ou plus (42) pour propager les micro-ondes d’une partie de bord à une partie interne de la carte d’émission de micro-ondes (28) sont formés. Des mécanismes de réglage de volume (43, 45) règlent le volume des orifices pour régler l’impédance de chaque unité lorsque la carte d’émission de micro-ondes (28) est divisée en unités auxquelles chacun des orifices (42) appartient, et la distribution de champ électrique de la carte d’émission de micro-ondes (28) est contrôlée.
(JA) プロセス条件等の変化に対応してプラズマの均一性と安定性を容易に確保することができるマイクロ波プラズマ処理装置を提供すること。  マイクロ波によって前記チャンバー内に処理ガスのプラズマを形成し、そのプラズマにより被処理体にプラズマ処理を施すマイクロ波プラズマ処理装置100であって、マイクロ波透過板28の外周を覆う導電体からなるプレート27に、マイクロ波透過板28の端部からその内部に向かってマイクロ波が伝搬される2以上の孔42を形成し、体積調節機構43,45により孔の体積を調設してマイクロ波透過板28を孔42の各々が属するユニット毎に分割した場合における各ユニットのインピーダンスを調節し、マイクロ波透過板28の電界分布を制御する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)