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1. (WO2006038459) MATIERE POUR TRANSISTOR ORGANIQUE A COUCHES MINCES, TRANSISTOR ORGANIQUE A COUCHES MINCES, TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP ET DISPOSITIF DE COMMUTATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/038459    N° de la demande internationale :    PCT/JP2005/017340
Date de publication : 13.04.2006 Date de dépôt international : 21.09.2005
CIB :
H01L 51/05 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01), C07D 333/18 (2006.01)
Déposants : Konica Minolta Holdings, Inc. [JP/JP]; 6-1, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000005 (JP) (Tous Sauf US).
TANAKA, Tatsuo [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : TANAKA, Tatsuo; (JP)
Données relatives à la priorité :
2004-289866 01.10.2004 JP
Titre (EN) ORGANIC THIN-FILM TRANSISTOR MATERIAL, ORGANIC THIN-FILM TRANSISTOR, FIELD EFFECT TRANSISTOR AND SWITCHING DEVICE
(FR) MATIERE POUR TRANSISTOR ORGANIQUE A COUCHES MINCES, TRANSISTOR ORGANIQUE A COUCHES MINCES, TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP ET DISPOSITIF DE COMMUTATION
(JA) 有機薄膜トランジスタ材料、有機薄膜トランジスタ、電界効果トランジスタ及びスイッチング素子
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is an organic thin-film transistor material characterized by containing a compound represented by the following general formula (1). A1-L-A2 (In the formula, A1 and A2 respectively represent a conjugated structure containing an aromatic hydrocarbon ring or an aromatic heterocyclic ring, and L represents a divalent linking group or a single bond. In this connection, A1 and A2 are axisymmetric with respect to L and do not have any partial repeating units.)
(FR)L’invention concerne une matière pour transistor organique à couches minces, caractérisée en ce qu’elle contient un composé représenté par la formule générale (1) suivante : A1-L-A2 (1) (Dans la formule, A1 et A2 représentent respectivement une structure conjuguée renfermant un noyau hydrocarboné ou un noyau aromatique hétérocyclique, et L représente un groupement de liaison bivalent ou une liaison simple. Dans ce chaînage, A1 et A2 sont axisymétriques par rapport à L et ne renferment aucun motif répété partiel.)
(JA) 下記一般式(1)で表される化合物を含有することを特徴とする有機薄膜トランジスタ材料。  一般式(1) A1-L-A2 (式中、A1、A2は芳香族炭化水素環または芳香族複素環を含有する共役構造を表し、Lは2価の連結基または単結合を表す。但し、A1、A2はLを挟んで(線)対称の関係にあり、それぞれに繰り返しの部分構造を有していない。)
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)