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1. (WO2006038453) CONVERTISSEUR PHOTOELECTRIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/038453    N° de la demande internationale :    PCT/JP2005/017296
Date de publication : 13.04.2006 Date de dépôt international : 20.09.2005
CIB :
H01L 31/078 (2012.01)
Déposants : KANEKA CORPORATION [JP/JP]; 2-4, Nakanoshima 3-chome Kita-ku Osaka-shi, Osaka 5308288 (JP) (Tous Sauf US).
SUEZAKI, Takashi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
YAMAMOTO, Kenji [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : SUEZAKI, Takashi; (JP).
YAMAMOTO, Kenji; (JP)
Représentant
commun :
KANEKA CORPORATION; 2-4, Nakanoshima 3-chome Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5308288 (JP)
Données relatives à la priorité :
2004-291830 04.10.2004 JP
Titre (EN) PHOTOELECTRIC CONVERTER
(FR) CONVERTISSEUR PHOTOELECTRIQUE
(JA) 光電変換装置
Abrégé : front page image
(EN)A highly reliable photoelectric converter wherein deterioration of output characteristics of the photoelectric converter having a reflecting layer is suppressed under a constant temperature and constant humidity environment. The photoelectric converter is provided with one or more thin film silicon photoelectric conversion units, having a silicon thin film provided with at least one semiconductor junction as a main component; and a silicon alloy layer containing a conductivity determining impurity, oxygen, nitrogen and crystalline silicon, on an opposite side to a light entering side of the thin film silicon photoelectric conversion unit. The refraction index of the silicon alloy layer is 2.5 or less and a quantity of nitrogen contained in the silicon alloy layer is 1×1021atom/cc or more by not more than 1×1022atom/cc.
(FR)L’invention concerne un convertisseur photoélectrique d’une grande fiabilité permettant d’éviter la dégradation des caractéristiques de sortie d’un convertisseur photoélectrique doté d’une couche réfléchissante dans un milieu à température et à humidité constantes. Le convertisseur électrique est pourvu d’un ou de plusieurs modules de conversion photoélectrique en silicium en couche mince, comportant une couche mince de silicium dotée d’au moins une jonction de semiconducteurs en tant que composant principal ; et une couche en alliage de silicium contenant une impureté déterminant la conductivité, de l’oxygène, de l’azote et du silicium cristallin sur un côté opposé à un côté d’entrée de lumière du module de conversion photoélectrique en silicium à couche mince. L’indice de réfraction de la couche en alliage de silicium est inférieure ou égale à 2,5 et une quantité d’azote contenue dans la couche en alliage de silicium est supérieure ou égale à 1×1021 atomes/cm3 mais inférieure à 1×1022 atomes/cm3.
(JA) 反射層を有する光電変換装置の恒温恒湿環境下での出力特性の低下を抑制し、信頼性の高い光電変換装置を提供する。  本発明による光電変換装置は、少なくとも一つの半導体接合を備えるシリコン系薄膜を主体とした薄膜シリコン系光電変換ユニットを一つ以上有し、該薄膜シリコン系光電変換ユニットの光入射側と反対側に、導電型決定不純物、酸素、窒素及び結晶質シリコン含むシリコン合金層を有し、該シリコン合金層の屈折率が2.5以下で、かつ、窒素含有量が1×1021atom/cc以上1×1022atom/cc以下であることを特徴とする光電変換装置である。                                                                               
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)