WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2006038259) MÉTHODE POUR FABRIQUER UN DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/038259    N° de la demande internationale :    PCT/JP2004/014356
Date de publication : 13.04.2006 Date de dépôt international : 30.09.2004
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    30.09.2004    
CIB :
B24B 37/32 (2012.01)
Déposants : RENESAS TECHNOLOGY CORP. [JP/JP]; 4-1, Marunouchi 2-chome Chiyoda-ku, Tokyo 1006334 (JP) (Tous Sauf US).
FUKADA, Hiroshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : FUKADA, Hiroshi; (JP)
Mandataire : TSUTSUI, Yamato; Tsutsui & Associates 3F, Azeria Bldg. 1-1, Nishi-shinjuku 8-chome Shinjuku-ku, Tokyo 1600023 (JP)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) MÉTHODE POUR FABRIQUER UN DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR
(JA) 半導体装置の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)In a polishing head (54) of CMP equipment, a diaphragm (113) made of an elastic film is fixed to a carrier plate (102) with a diaphragm fixing ring (120) made of a metal material, and a retainer ring (60) made of a resin material is fixed to the diaphragm fixing ring (120) with a screw (170) from the lower part. A groove is formed on the lower surface (60b) of the retainer ring (60), and a screw hole for fixing the retainer ring (60) with the screw is formed in the groove. A semiconductor wafer (1) is pressed to a polishing pad (58) through a membrane (115) by pressurizing a space sealed by the diaphragm (113) and the membrane (115), and the semiconductor wafer (1) is chemically and mechanically processed.
(FR)Dans une tête de polissage (54) d’un équipement de polissage mécanique chimique (CMP), un diaphragme (113) fait d’une pellicule élastique est fixé à une plaque porteuse (102) avec un anneau de fixation de diaphragme (120) fait d’un matériau métallique, et une bague de retenue (60) faite d’un matériau de résine est fixée à l’anneau de fixation de diaphragme (120) par une vis (170) à partir de la partie inférieure. Une rainure est formée sur la surface inférieure (60b) de la bague de retenue (60), et un trou de vis servant à fixer la bague de retenue (60) avec la vis est formé dans la rainure. Une plaquette de semiconducteur (1) est appuyée sur un tampon de polissage (58) au travers d’une membrane (115) par la pressurisation d’un espace scellé par le diaphragme (113) et la membrane (115), et la plaquette de semiconducteur (1) subit alors le traitement chimique et mécanique.
(JA) CMP装置の研磨ヘッド(54)において、弾性体膜からなるダイヤフラム(113)をキャリアプレート(102)に金属材料からなるダイヤフラム固定リング(120)で固定し、このダイヤフラム固定リング(120)に樹脂材料からなるリテーナリング(60)を下方からネジ170でネジ留めする。リテーナリング(60)の下面(60b)には溝が形成され、その溝内にリテーナリング(60)をネジ留めするためのネジ穴が形成されている。ダイヤフラム(113)およびメンブレン(115)などで封止された空間を加圧することによりメンブレン(115)を介して半導体ウエハ1を研磨パッド58に押し付けて半導体ウエハ(1)をCMP処理する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)