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1. (WO2006037995) DISPOSITIF DE DEPOT DE GOUTTELETTES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/037995    N° de la demande internationale :    PCT/GB2005/003816
Date de publication : 13.04.2006 Date de dépôt international : 04.10.2005
CIB :
B41J 2/14 (2006.01), B41J 2/16 (2006.01)
Déposants : XAAR TECHNOLOGY LIMITED [GB/GB]; Science Park, Milton Road, Cambridge CB4 0XR (GB) (Tous Sauf US).
TEMPLE, Steve [GB/GB]; (GB) (US Seulement).
DRURY, Paul, Raymond [GB/GB]; (GB) (US Seulement).
BRUNAHL, Jurgen [DE/GB]; (GB) (US Seulement)
Inventeurs : TEMPLE, Steve; (GB).
DRURY, Paul, Raymond; (GB).
BRUNAHL, Jurgen; (GB)
Mandataire : GARRATT, Peter, Douglas; Mathys & Squire, 120 Holborn, London EC1N 2SQ (GB)
Données relatives à la priorité :
0421925.9 04.10.2004 GB
60/620,232 18.10.2004 US
Titre (EN) DROPLET DEPOSITION APPARATUS
(FR) DISPOSITIF DE DEPOT DE GOUTTELETTES
Abrégé : front page image
(EN)A droplet deposition apparatus including a channel (10) having deformable side walls (14) actuated by a piezoelectric element (18) forming the roof of the channel. The roof is caused to expand or contract in a direction perpendicular to the plane of the walls, and causes the walls to deform into the channel. The walls can act to amplify small deflections of the actuator to cause sufficiently large changes of volume in the channel. The piezoelectric is typically high activity piezoelectric and preferably single crystal ceramic.
(FR)La présente invention concerne un dispositif de dépôt de gouttelettes comprenant un canal possédant des parois latérales déformables actionnées par un élément piézo-électrique formant le toit du canal. Ce toit se dilate et se contracte perpendiculairement au plan des parois et ces parois se déforment dans le canal. Les parois peuvent agir pour amplifier de petites déflexions du récepteur de façon à induire des modifications suffisamment importantes de volume dans le canal. L'élément piézo-électrique est habituellement un élément piézo-électrique de haute activité et de préférence une céramique monocristalline.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)