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1. (WO2006037942) INTERRUPTEURS DE PUISSANCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/037942    N° de la demande internationale :    PCT/GB2005/003309
Date de publication : 13.04.2006 Date de dépôt international : 24.08.2005
CIB :
H03K 17/0814 (2006.01)
Déposants : VETCO GRAY CONTROLS LIMITED [GB/GB]; 2 High Street, Nailsea, Bristol BS48 1BS (GB) (Tous Sauf US).
HELFRICH, Jens [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
DISSELNKÖTTER, Rolf [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : HELFRICH, Jens; (DE).
DISSELNKÖTTER, Rolf; (DE)
Mandataire : NEWSTEAD, Michael, John; Page Hargrave, Southgate, Whitefriars, Lewins Mead, Bristol BS1 2NT (GB)
Données relatives à la priorité :
0422165.1 06.10.2004 GB
Titre (EN) POWER SWITCHES
(FR) INTERRUPTEURS DE PUISSANCE
Abrégé : front page image
(EN)A switching device suitable for operation in temperatures over 150° C comprises first (1) and second (2) transistors, the drain 1D of the first transistor being connected to the source (2S) of the second transistor, the gate (2G) of the second transistor being connected to the source (1S) of the first transistor and the gate (1G) of the first transistor being connected in use to control circuitry (3) such that current flow through the transistors is controlled in use by the application of a control signal from the control circuitry, characterised in that the first and second transistors are both operative at temperatures over 150° C.
(FR)Dispositif d’interruption adéquat pour un fonctionnement à des températures au-dessus de 150°C comprenant des premier (1) et second (2) transistors, le drain 1D du premier transistor étant connecté à la source (2S) du second transistor, la porte (2G) du second transistor étant connectée à la source (1S) du premier transistor et la porte (1G) du premier transistor étant connectée en utilisation à une circuiterie de contrôle (3) de telle sorte que le flux de courant à travers les transistors est contrôlé en utilisation par l’application d’un signal de contrôle provenant de la circuiterie de contrôle, caractérisé en ce que les premier et second transistors sont tous les deux opérationnels à des températures au-dessus de 150°C.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)