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1. (WO2006037783) PROCÉDÉ DE TRANSFERT D'UNE COUCHE MINCE COMPRENANT UNE PERTURBATION CONTROLÉE D'UNE STRUCTURE CRISTALLINE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/037783    N° de la demande internationale :    PCT/EP2005/054994
Date de publication : 13.04.2006 Date de dépôt international : 04.10.2005
CIB :
H01L 21/762 (2006.01)
Déposants : S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES [FR/FR]; Parc Technologique des Fontaines, Chemin des Franques, F-38190 BERNIN (FR) (Tous Sauf US).
CAYREFOURCQ, Ian [FR/FR]; (FR) (US Seulement).
MAZURE, Carlos [DE/FR]; (FR) (US Seulement).
BOURDELLE, Konstantin [RU/FR]; (FR) (US Seulement)
Inventeurs : CAYREFOURCQ, Ian; (FR).
MAZURE, Carlos; (FR).
BOURDELLE, Konstantin; (FR)
Mandataire : MARTIN, SCHRIMPF, WARCOIN, AHNER, TEXIER, LE FORESTIER, CALLON DE LAMARCK, COLLIN, TETAZ-CABINET REGIMBEAU; 20, rue de Chazelles, F-75847 PARIS CEDEX 17 (FR)
Données relatives à la priorité :
0410462 04.10.2004 FR
Titre (EN) METHOD FOR TRANSFERRING A THIN FILM COMPRISING A CONTROLLED DISTURBANCE OF A CRYSTAL STRUCTURE
(FR) PROCÉDÉ DE TRANSFERT D'UNE COUCHE MINCE COMPRENANT UNE PERTURBATION CONTROLÉE D'UNE STRUCTURE CRISTALLINE
Abrégé : front page image
(EN)The invention concerns a method for transferring a thin film from a donor substrate to a receiver substrate including generating a weakened zone in the donor substrate, characterized in that it comprises steps which consist in: disturbing the crystal structure of a surface region of the donor substrate, so as to produce therein a disturbed surface region, and defining a disturbance interface between said disturbed region and the underlying region of the donor substrate whereof the crystal structure is preserved; subjecting said donor substrate to a recrystallizing annealing to as to bring about at least partial recrystallization of said disturbed region, from the crystal structure of said underlying region of the donor substrate, and creating a zone of crystal defects in the plane of said disturbance interface; introducing one or more species into the thickness of the donor substrate to create therein said weakened zone, the parameters for introducing species being adjusted to introduce a maximum of species at said zone of crystal defects.
(FR)L'invention concerne un procédé de transfert de couche mince d'un substrat donneur vers un substrat receveur comprenant la création d'une zone de fragilisation dans ie substrat donneur, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes consistant à : - Perturber la structure cristalline d'une région de surface du substrat donneur, afin d!y créer une région superficielle perturbée, et définir une interface de perturbation entre ladite région perturbée et la région sous-jacente du substrat donneur dont la structure cristalline est conservée, - Soumettre ledit substrat donneur à un recuit de recristailisation en vue de provoquer - une recristallisation au moins partielle de ladite région perturbée, à partir de la structure cristalline de ladite région sous-jacente du substrat donneur, - et la création d'une zone de défauts cristallins dans le plan de ladite interface de perturbation, - Introduire une ou plusieurs espèces dans l'épaisseur du substrat donneur pour y créer iadite zone de fragilisation, les paramètres de l'introduction d'espèces étant ajustés pour introduire un maximum d'espèces au niveau de ladite zone de défauts cristallins.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : français (FR)
Langue de dépôt : français (FR)