WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2006037740) DISPOSITIF DE LIMITATION DU COURANT DE TYPE RESISTIF A SUPRACONDUCTEUR A HAUTE TC SOUS FORME DE BANDE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/037740    N° de la demande internationale :    PCT/EP2005/054844
Date de publication : 13.04.2006 Date de dépôt international : 27.09.2005
CIB :
H01L 39/16 (2006.01)
Déposants : SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT [DE/DE]; Wittelsbacherplatz 2, 80333 München (DE) (Tous Sauf US).
KRÄMER, Hans-Peter [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
SCHMIDT, Wolfgang [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : KRÄMER, Hans-Peter; (DE).
SCHMIDT, Wolfgang; (DE)
Représentant
commun :
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT; Postfach 22 16 34, 80506 München (DE)
Données relatives à la priorité :
10 2004 048 648.4 04.10.2004 DE
Titre (DE) VORRICHTUNG ZUR STROMBEGRENZUNG VOM RESISTIVEN TYP MIT BANDFÖRMIGEM HOCH-Tc-SUPRALEITER
(EN) DEVICE FOR LIMITING CURRENT OF THE RESISTIVE TYPE WITH A STRIP-SHAPED HIGH TC SUPERCONDUCTOR
(FR) DISPOSITIF DE LIMITATION DU COURANT DE TYPE RESISTIF A SUPRACONDUCTEUR A HAUTE TC SOUS FORME DE BANDE
Abrégé : front page image
(DE)Die resistive Strombegrenzungsvorrichtung weist einen band- förmigen Supraleiter (2) auf, dessen Leiteraufbau (7) zumindest ein metallisches Substratband (3), eine Schicht (5) aus oxidischem Hoch-Tc-Supraleitermaterial vom AB2Cu3Ox-Typ, eine dazwischen angeordnete oxidische Pufferschicht (4) mit angepassten kristallinen Abmessungen sowie eine auf der supraleitenden Schicht (5) aufgebrachte normalleitende Deckschicht (6) enthält. Die Pufferschicht (4) soll derart ausgebildet sein, dass zwischen der supraleitenden Schicht (5) und dem Substratband (3) zumindest in Teilbereichen ein Übergangswiderstand von höchstens 10-3 Ω.cm2 ausgebildet ist. Beispiele geeigneter Materialien sind vom Typ La-Mn-O oder Sr-Ru-O oder La-Ni-O oder In-Sn-O.
(EN)The resistive current limiting device comprises a strip-shaped superconductor (2) whose conductor structure (7) contains: at least one metallic substrate strip (3), a layer (5) made of oxidic high Tc superconducting material of the AB2Cu3Ox type; an oxidic buffer layer (4), which is arranged therebetween and which has adapted crystalline dimensions, and; a normal-conductive top layer (6) that is applied to the superconductive layer (5). The buffer layer (4) should be formed so that a transition resistance of no greater than 10-3 O ? cm2 is formed at least in partial areas between the superconductive layer (5) and the substrate strip (3). For example, suitable materials are of the La-Mn-O or Sr-Ru-O or La-Ni-O or In-Sn-O type.
(FR)L'invention concerne un dispositif résistif de limitation du courant, qui présente un supraconducteur (2) sous forme de bande, dont la structure conductrice (7) contient au moins une bande de substrat métallique (3), une couche (5) à base de matériau supraconducteur à haute Tc de type AB2Cu3Ox, une couche tampon (4) oxydique disposée entre et aux dimensions cristallines adaptées, ainsi qu'une couche de revêtement (6) de conduction normale, apposée sur la couche supraconductrice. L'invention vise à concevoir la couche tampon (4) de sorte à former au moins une résistance de transition d'au moins 10-3 Q*cm2 entre la couche supraconductrice (5) et la bande de substrat (3), au moins dans des zones partielles. Des exemples de matériaux appropriés sont de type La-Mn-O ou Sr-Ru-O ou La-Ni-O ou In-Sn-O.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)