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1. (WO2006037432) MEMOIRE COMPORTANT UNE CELLULE DE MEMOIRE RESISTIVE ET UN CIRCUIT D'EVALUATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/037432    N° de la demande internationale :    PCT/EP2005/009813
Date de publication : 13.04.2006 Date de dépôt international : 13.09.2005
CIB :
G11C 7/14 (2006.01), G11C 16/28 (2006.01), G11C 11/16 (2006.01), G11C 11/15 (2006.01), G11C 16/02 (2006.01)
Déposants : Infineon Technologies AG [DE/DE]; St.-Martin-Str. 53, 81669 München (DE) (Tous Sauf US).
RÖHR, Thomas [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : RÖHR, Thomas; (DE)
Mandataire : WILHELM, Jürgen; Nymphenburger Str. 139, 80636 München (DE)
Données relatives à la priorité :
10 2004 047 666.7 30.09.2004 DE
Titre (DE) SPEICHER MIT WIDERSTANDSSPEICHERZELLE UND BEWERTUNGSSCHALTUNG
(EN) MEMORY WITH RESISTANCE MEMORY CELLS AND EVALUATION CIRCUIT
(FR) MEMOIRE COMPORTANT UNE CELLULE DE MEMOIRE RESISTIVE ET UN CIRCUIT D'EVALUATION
Abrégé : front page image
(DE)Eine Speicherschaltung mit einer Speicherzelle, die ein Widerstandsspeicherelement aufweist und zwischen einen Masseanschluss und eine Kapazität geschaltet ist, weist eine zwischen den Masseanschluss und eine Referenzkapazität geschaltete Referenzspeicherzelle mit einem Referenzwiderstand auf, wobei beim Lesevorgang der Speicherzelle die Speicherzelle und die Referenzspeicherzelle angeschaltet werden, um die Kapazität und die Referenzkapazität aufzuladen bzw. zu entladen, und eine Bewertungseinrichtung die Differenz zwischen den elektrischen Potentialen der Kapazität und der Referenzkapazität zu einem vorgebenen Zeitpunkt nach dem Anschalten der Speicherzelle und der Referenzspeicherzelle bewertet.
(EN)The invention relates to a memory circuit comprising a memory cell which comprises a resistance memory cell and which is mounted between a ground connection and a capacitor. Said memory circuit comprises a reference memory cell, provided with a reference resistance, which is mounted between the ground connection and a reference capacitor. During the reading step of the memory cell, the memory cell and the reference memory cell are switched on in order to charge or discharge the capacitor and the reference capacitor, and the evaluation circuit evaluates the difference between the electric potentials of the capacitor and the reference capacitor in order to form a predetermined time point according to the switching on of the memory cell and the reference memory cells.
(FR)L'invention concerne un circuit de mémoire comportant une cellule de mémoire présentant un élément de mémoire résistif, montée entre un raccord de masse et un condensateur. Ledit circuit de mémoire comporte une cellule de mémoire de référence montée entre le raccord de masse et un condensateur de référence, présentant une résistance de référence. Lors du processus de lecture de la cellule de mémoire, la cellule de mémoire et la cellule de mémoire de référence sont mises en marche afin de charger ou décharger le condensateur et le condensateur de référence, et un dispositif d'évaluation évalue la différence entre les potentiels électriques du condensateur et du condensateur de référence à un instant donné après mise en marche de la cellule de mémoire et de la cellule de mémoire de référence.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)