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1. (WO2006036821) PROCEDE ET APPAREIL DE CONTROLE D'UN TRAITEMENT DANS UN SYSTEME DE TRAITEMENT PLASMA PAR MESURE DE LA TENSION D'AUTO-POLARISATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/036821    N° de la demande internationale :    PCT/US2005/034227
Date de publication : 06.04.2006 Date de dépôt international : 23.09.2005
CIB :
H01L 21/30 (2006.01), H01L 21/306 (2006.01), H01L 21/00 (2006.01), G01L 21/30 (2006.01), B44C 1/22 (2006.01)
Déposants : LAM RESEARCH CORPORATION [US/US]; 4650 Cushing Parkway, P1317PCT, Fremont, California 94538 (US) (Tous Sauf US).
GUINEY, Timothy, J. [US/US]; (US) (US Seulement).
ANNAPRAGADA, Rao [IN/US]; (US) (US Seulement).
DESHMUKH, Subhash [US/US]; (US) (US Seulement).
CHENG, Chia Cheng [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : GUINEY, Timothy, J.; (US).
ANNAPRAGADA, Rao; (US).
DESHMUKH, Subhash; (US).
CHENG, Chia Cheng; (US)
Mandataire : NGUYEN, Joseph, A; PO Box 700640, San Jose, California 95170 (US)
Données relatives à la priorité :
10/951,553 27.09.2004 US
Titre (EN) METHODS AND APPARATUS FOR MONITORING A PROCESS IN A PLASMA PROCESSING SYSTEM BY MEASURING SELF-BIAS VOLTAGE
(FR) PROCEDE ET APPAREIL DE CONTROLE D'UN TRAITEMENT DANS UN SYSTEME DE TRAITEMENT PLASMA PAR MESURE DE LA TENSION D'AUTO-POLARISATION
Abrégé : front page image
(EN)A method for in-situ monitoring a process in a plasma processing system having a plasma processing chamber is disclosed. The method includes positioning a substrate in the plasma processing chamber (802). The method also includes striking a plasma within the plasma processing chamber while the substrate is disposed within the plasma processing chamber (804). The method further includes obtaining a measured self-bias voltage that exists after the plasma is struck, the measured self-bias voltage value having a first value when the plasma is absent and at least a second value different from the first value when the plasma is present (806). The method also includes correlating the measured self-bias voltage value with an attribute of the process (808), if the measured self-bias voltage value is outside of a predefined self-bias voltage value envelope (810,812).
(FR)L'invention concerne un procédé de contrôle in situ d'un traitement dans un système de traitement plasma comprenant une chambre de traitement plasma. Le procédé de l'invention consiste à positionner un substrat dans la chambre de traitement plasma ; à projeter un plasma dans la chambre de traitement plasma pendant que le substrat est disposé dans celle-ci ; à obtenir une tension d'auto-polarisation mesurée après projection du plasma, la valeur de la tension d'auto-polarisation mesurée présentant une première valeur lorsque le plasma est absent et au moins une deuxième valeur différente de la première valeur lorsque le plasma est présent ; et à corréler la valeur de tension d'auto-polarisation mesurée à un attribut du traitement, si ladite valeur de tension d'auto-polarisation mesurée ne se situe pas dans une plage de valeur de tension d'auto-polarisation prédéfinie.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)