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1. (WO2006036783) PROCEDE DE LECTURE POUR UNE MEMOIRE DE BASE VIRTUELLE A PLUSIEURS NIVEAUX
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/036783    N° de la demande internationale :    PCT/US2005/034135
Date de publication : 06.04.2006 Date de dépôt international : 20.09.2005
CIB :
G11C 11/56 (2006.01), G11C 16/34 (2006.01)
Déposants : SPANSION LLC [US/US]; One AMD Place, Mail Stop 68, P.O.Box 3453, Sunnyvale, CA 94088-3453 (US) (Tous Sauf US).
HAMILTON, Darlene [US/US]; (US) (US Seulement).
BATHUL, Fatima [US/US]; (US) (US Seulement).
HORIIKE, Masato [JP/US]; (US) (US Seulement).
GERSHON, Eugen [US/US]; (US) (US Seulement).
VANBUSKIRK, Michael, A. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : HAMILTON, Darlene; (US).
BATHUL, Fatima; (US).
HORIIKE, Masato; (US).
GERSHON, Eugen; (US).
VANBUSKIRK, Michael, A.; (US)
Mandataire : LAM, Christine, S.; One AMD Place, Mail Stop 68, P.O. Box 3453, Sunnyvale, CA 94088-3453 (US)
Données relatives à la priorité :
10/946,809 22.09.2004 US
Titre (EN) READ APPROACH FOR MULTI-LEVEL VIRTUAL GROUND MEMORY
(FR) PROCEDE DE LECTURE POUR UNE MEMOIRE DE BASE VIRTUELLE A PLUSIEURS NIVEAUX
Abrégé : front page image
(EN)The present invention pertains to a technique (800) for determining the level of a bit in a dual sided ONO flash memory cell (500) where each of the bits of the dual sided ONO flash memory cell can be programmed to multiple levels (540,542,544). One or more aspects of the present invention take into consideration the affect that the level of charge on one bit can have on the other bit, otherwise known as complimentary bit disturb. A metric known as transconductance is utilized in making the bit level determination to provide a greater degree of resolution and accuracy. In this manner, determining the bit level in accordance with one or more aspects of the present invention mitigates false or erroneous reads.
(FR)L'invention concerne une technique (800) pour déterminer le niveau d'un bit dans une cellule de mémoire flash ONO (500) à double face, dont chaque bit peut être programmé pour plusieurs niveaux (540,542,544). Un ou plusieurs aspects de la présente invention prend en compte l'effet que le niveau de charge d'un bit peut avoir sur l'autre bit, autrement connu comme perturbation de bit complémentaire. Une mesure connue sous le terme de transconductance sert à déterminer le niveau de bit pour augmenter le niveau de résolution et de précision. Ainsi, la détermination du niveau de bit selon un ou plusieurs aspects de l'invention limite les lectures fausses ou erronées.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)