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1. (WO2006036751) CIRCUIT INTEGRE ET PROCEDE DE PRODUCTION ASSOCIE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/036751    N° de la demande internationale :    PCT/US2005/034030
Date de publication : 06.04.2006 Date de dépôt international : 21.09.2005
CIB :
B41J 2/14 (2006.01), B41J 2/16 (2006.01), H01L 23/31 (2006.01)
Déposants : HEWLETT-PACKARD DEVELOPMENT COMPANY, L.P. [US/US]; Hewlett-Packard Company, Intellectual Property Administration, 20555 S.H. 249, Houston, Texas 77070 (US) (Tous Sauf US).
DODD, Simon [US/US]; (US) (US Seulement).
WANG, S. Jonathan [US/US]; (US) (US Seulement).
TOM, Dennis W. [US/US]; (US) (US Seulement).
BRYANT, Frank R. [US/US]; (US) (US Seulement).
MCMAHON, Terry E. [US/US]; (US) (US Seulement).
MILLER, Richard Todd [US/US]; (US) (US Seulement).
HINDMAN, Gregory T. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : DODD, Simon; (US).
WANG, S. Jonathan; (US).
TOM, Dennis W.; (US).
BRYANT, Frank R.; (US).
MCMAHON, Terry E.; (US).
MILLER, Richard Todd; (US).
HINDMAN, Gregory T.; (US)
Mandataire : MCDANIEL, James R.; Hewlett-Packard Company, Intellectual Property Administration, P.O. Box 272400, Mail Stop 35, Fort Collins, Colorado 80527-2400 (US)
Données relatives à la priorité :
60/613,871 28.09.2004 US
10/977,091 29.10.2004 US
Titre (EN) INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD FOR MANUFACTURING
(FR) CIRCUIT INTEGRE ET PROCEDE DE PRODUCTION ASSOCIE
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor structure (5), fluid ejection device, and methods for manufacturing the same are provided, such that a contact to a substrate (10) is formed from a conductive layer (30).
(FR)L'invention concerne une structure semi-conductrice (5), un dispositif d'éjection de fluide, et des procédés de production associés, de façon qu'un contact avec un substrat (10) soit formé à partir d'une couche conductrice (30).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)