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1. (WO2006036671) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR A ELECTRODE DE GRILLE METALLIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/036671    N° de la demande internationale :    PCT/US2005/033698
Date de publication : 06.04.2006 Date de dépôt international : 16.09.2005
CIB :
H01L 21/8234 (2006.01), H01L 21/8238 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01)
Déposants : INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard, Santa Clara, CA 95052 (US) (Tous Sauf US).
DOCZY, Mark [US/US]; (US) (US Seulement).
BRASK, Justin [US/US]; (US) (US Seulement).
KAVALIEROS, Jack [US/US]; (US) (US Seulement).
BARNS, Chris [US/US]; (US) (US Seulement).
METZ, Matthew [US/US]; (US) (US Seulement).
DATTA, Suman [IN/US]; (US) (US Seulement).
CHAU, Robert [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : DOCZY, Mark; (US).
BRASK, Justin; (US).
KAVALIEROS, Jack; (US).
BARNS, Chris; (US).
METZ, Matthew; (US).
DATTA, Suman; (US).
CHAU, Robert; (US)
Mandataire : TROP, Timothy, N.; TROP, PRUNER & HU, P.C., 1616 S. Voss Rd., Suite 750, Houston, TX 77057-2631 (US)
Données relatives à la priorité :
10/951,073 27.09.2004 US
Titre (EN) A METAL GATE ELECTRODE SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR A ELECTRODE DE GRILLE METALLIQUE
Abrégé : front page image
(EN)A complementary metal oxide semiconductor integrated circuit may be formed with NMOS and PMOS transistors that have high dielectric constant gate dielectric material over a semiconductor substrate. A metal barrier layer may be formed over the gate dielectric. A workfunction setting metal layer is formed over the metal barrier layer and a cap metal layer is formed over the workfunction setting metal layer.
(FR)L'invention concerne un circuit intégré à semi-conducteur d'oxyde métallique complémentaire que l'on peut former avec des transistors NMOS et PMOS qui ont un matériau diélectrique de grille à constante diélectrique élevée sur un substrat semi-conducteur. Une couche barrière métallique peut se former sur le diélectrique de grille. Une couche métallique de réglage de la fonction de travail est formée sur la couche barrière métallique et une couche métallique d'encapsulation est formée au-dessus de la couche métallique de réglage de la fonction de travail.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)