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1. (WO2006036604) DIODES ELECTROLUMINESCENTES A BASE DE NITRURE DE GROUPE III A RENDEMENT ELEVE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/036604    N° de la demande internationale :    PCT/US2005/033239
Date de publication : 06.04.2006 Date de dépôt international : 15.09.2005
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    17.07.2006    
CIB :
H01L 33/00 (2010.01)
Déposants : CREE, INC. [US/US]; 4600 Silicon Drive, Durham, NC 27703-8475 (US) (Tous Sauf US).
EDMOND, John, Adam [US/US]; (US) (US Seulement).
BERGMANN, Michael, John [US/US]; (US) (US Seulement).
EMERSON, David, Todd [US/US]; (US) (US Seulement).
HABERERN, Kevin, Ward [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : EDMOND, John, Adam; (US).
BERGMANN, Michael, John; (US).
EMERSON, David, Todd; (US).
HABERERN, Kevin, Ward; (US)
Mandataire : SUMMA, Philip; Summa, Allan & Additon, P.A., 11610 North Community House Road, Suite 200, Charlotte, NC 28277 (US)
Données relatives à la priorité :
10/951,042 22.09.2004 US
11/037,965 18.01.2005 US
11/082,470 17.03.2005 US
11/112,429 22.04.2005 US
Titre (EN) HIGH OUTPUT GROUP III NITRIDE LIGHT EMITTING DIODES
(FR) DIODES ELECTROLUMINESCENTES A BASE DE NITRURE DE GROUPE III A RENDEMENT ELEVE
Abrégé : front page image
(EN)A light emitting diode is disclosed that includes a silicon carbide substrate and a light emitting structure formed from the Group III nitride material system on the substrate. The diode has an area greater than 100,000 square microns and has a radiant flux at 20 milliamps current of at least 29 milliwatts at its dominant wavelength between 390 and 540 nanometers.
(FR)La présente invention concerne une diode électroluminescente qui comprend un substrat de carbure de silicium et une structure électroluminescente formée par un système à base de nitrure de groupe III sur le substrat. La diode présente une surface supérieure à 100 000 microns carrés et a un flux énergétique, à un courant de 20 milliampères, d'au moins 29 milliwatts lorsque sa longueur d'onde dominante est comprise entre 390 et 540 nanomètres.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)