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1. (WO2006036538) COMPOSES DE PRECURSEURS ORGANOMETALLIQUES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/036538    N° de la demande internationale :    PCT/US2005/032618
Date de publication : 06.04.2006 Date de dépôt international : 16.09.2005
CIB :
C07F 19/00 (2006.01), C23C 16/18 (2006.01), C23C 16/20 (2006.01), C23C 16/40 (2006.01)
Déposants : PRAXAIR TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 39 Old Ridgebury Road, Danbury, CT 06810-5113 (US) (Tous Sauf US).
MEIERE, Scott, Houston [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : MEIERE, Scott, Houston; (US)
Mandataire : COON, Gerald, L.; Praxair, Inc., 39 Old Ridgebury Road, Danbury, CT 06810-5113 (US)
Données relatives à la priorité :
60/613,514 28.09.2004 US
11/193,535 01.08.2005 US
Titre (EN) ORGANOMETALLIC PRECURSOR COMPOUNDS
(FR) COMPOSES DE PRECURSEURS ORGANOMETALLIQUES
Abrégé : front page image
(EN)This invention relates to organometallic precursor compounds represented by the formula (H)mM(R)n wherein M is a metal or metalloid, R is the same or different and is a substituted or unsubstituted , saturated or unsaturated, heterocyclic radical containing at least one nitrogen atom, m is from 0 to a value less than the oxidation state of M, n is from 1 to a value equal to the oxidation state of M, and m+n is a value equal to the oxidation state of M, a process for producing the organometallic precursor compounds, and a method for producing a film or coating from the organometallic precursor compounds.
(FR)Cette invention concerne des composés de précurseurs organométalliques représentés par la formule (H)mM(R)n, dans laquelle M représente un métal ou un métalloïde, R, qui est identique ou différent, représente un radical hétérocyclique saturé ou insaturé, substitué ou insubstitué, contenant au moins un atome d'azote, m est égal à une valeur comprise entre 0 et une valeur inférieure à l'état d'oxydation de M, n est égal à une valeur comprise entre 1 et une valeur égale à l'état d'oxydation de M, et m+n représente une valeur égale à l'état d'oxydation de M; cette invention concernant également un procédé de production de ces composés de précurseurs organométalliques, ainsi qu'un procédé de production d'un film ou d'un revêtement à partir de ces composés de précurseurs organométalliques.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)