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1. (WO2006036505) MATERIAU DE REMPLISSAGE VISANT A REDUIRE LE POTENTIEL DE DELAMINAGE ET DE FISSURATION D'UN TRAITEMENT APPLIQUE SOUS LES BOSSES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/036505    N° de la demande internationale :    PCT/US2005/032119
Date de publication : 06.04.2006 Date de dépôt international : 12.09.2005
CIB :
C08K 3/36 (2006.01), C08K 9/04 (2006.01), H01L 23/29 (2006.01), H01L 21/56 (2006.01)
Déposants : INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard, Mailstop SC4-202, Santa Clara, CA 95052-8119 (US) (Tous Sauf US)
Inventeurs : SHI, Song-Hua; (US).
CHEN, Tian-An; (US).
ZHANG, Jason; (US).
CERTEZA, Katrina; (US)
Mandataire : SHICHRUR, Naim; Pearl Cohen Zedek Latzer, LLP, 10 Rockefeller Plaza, Suite 1001, New York, NY 10020 (US)
Données relatives à la priorité :
10/950,691 28.09.2004 US
Titre (EN) UNDERFILL MATERIAL TO REDUCE BALL LIMITING METALLURGY DELAMINATION AND CRACKING POTENTIAL IN SEMICONDUCTOR DEVICES
(FR) MATERIAU DE REMPLISSAGE VISANT A REDUIRE LE POTENTIEL DE DELAMINAGE ET DE FISSURATION D'UN TRAITEMENT APPLIQUE SOUS LES BOSSES
Abrégé : front page image
(EN)An electronic structure includes an electronic device coupled to a substrate by conductive bumps and ball limiting metallurgy (BLM). Underfill material having filler particles is disposed in a space between the electronic device and the substrate. A weight percentage of the filler particles is at least about 60%. A particle size of at least 90wt% of the filler particles is less than about 2µm and/or the filler particles are coated by an organic coupling agent. Once the underfill material is fully cured, its coefficient of thermal expansion is no more than 30PPM/°C, and its glass transition temperature is at least 100°C, and its adhesion to a passivation layer of the electronic device, to the substrate and to the electronic device at its edges is such that the electronic structure passes standardized reliability tests without delamination of the ball limiting metallurgy.
(FR)L'invention concerne une structure électronique comprenant un dispositif électronique couplé à un substrat par des bosses conductrices et par un traitement appliqué sous les bosses. Un matériau de remplissage contenant des particules de remplissage est disposé dans un espace entre le dispositif électronique et le substrat. Le pourcentage en poids des particules de remplissage est d'au moins environ 60 %. La taille de particule d'au moins 90 % en poids des particules de remplissage est inférieure à environ 2$g(m)m, et/ou les particules de remplissage sont revêtues d'un agent de couplage organique. Lorsque le matériau de remplissage est entièrement durci, son coefficient d'expansion thermique n'est pas supérieur à 30PPM/ °C, sa température de transition vitreuse est d'au moins 100 °C, et son adhérence à une couche de passivation du dispositif électronique, au substrat et au dispositif électronique au niveau de ses limites périphériques permet d'obtenir une structure électronique conforme aux tests de fiabilité standard sans délaminage du traitement appliqué sous les bosses.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)