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1. (WO2006036494) PROCEDE ET APPAREIL POUR DETERMINER LE DENSITE DE DEFAUTS ET/OU D'IMPURETES DANS UNE PLAQUETTE A SEMI-CONDUCTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/036494    N° de la demande internationale :    PCT/US2005/032003
Date de publication : 06.04.2006 Date de dépôt international : 08.09.2005
CIB :
G01R 31/26 (2006.01)
Déposants : SOLID STATE MEASUREMENTS, INC. [US/US]; 110 Technology Drive, Pittsburgh, Pennsylvania 15275 (US) (Tous Sauf US).
HOWLAND, William, H., Jr. [US/US]; (US) (US Seulement).
BOBRZYNSKI, Brian, R. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : HOWLAND, William, H., Jr.; (US).
BOBRZYNSKI, Brian, R.; (US)
Mandataire : LOGSDON, William, H.; The Webb Law Firm, 436 Seventh Avenue, 700 Koppers Building, Pittsburgh, Pennsylvania 15219-1845 (US)
Données relatives à la priorité :
10/952,130 28.09.2004 US
Titre (EN) METHOD AND APPARATUS FOR DETERMINING CONCENTRATION OF DEFECTS AND/OR IMPURITIES IN A SEMICONDUCTOR WAFER
(FR) PROCEDE ET APPAREIL POUR DETERMINER LE DENSITE DE DEFAUTS ET/OU D'IMPURETES DANS UNE PLAQUETTE A SEMI-CONDUCTEURS
Abrégé : front page image
(EN)To determine a concentration of defects and/or impurities in a semiconductor wafer (10), a first value (40) of current (I) is caused to flow in the semiconductor wafer (10) having a substrate (12) of semiconducting material. The semiconductor wafer ( 10) is exposed to a pulse of light (36) whereupon electron-hole pairs generated in the semiconductor wafer (10) in response to the light puls (36) cause the current (I) to increase to a second value (42). After termination of die light pulse (36), the rate of change of the current (I) from the second value (42) toward the first value (40) is determined. A concentration of defects and/or impurities in the semiconductor wafer (10) is determined as a function of [he rate of change.
(FR)Pour déterminer une densité de défauts et/ou d'impuretés dans une plaquette à semi-conducteurs, on fait passer un premier courant d'une première intensité dans la plaquette à semi-conducteurs pourvue d'un substrat semi-conducteur. En soumettant à une impulsion lumineuse la plaquette à semi-conducteurs, on provoque la formation de paires de trous d'électrons dans la plaquette à semi-conducteurs ce qui provoque une augmentation de l'intensité à une seconde valeur. A la fin de l'impulsion lumineuse, on détermine le taux de variation de l'intensité de la seconde valeur vers la première valeur, taux en fonction duquel on détermine ensuite la densité de défauts et/ou d'impuretés dans la plaquette à semi-conducteurs.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)