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1. (WO2006036447) DISPOSITIF SCR COMPACT ET PROCEDE POUR CIRCUITS INTEGRES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/036447    N° de la demande internationale :    PCT/US2005/031119
Date de publication : 06.04.2006 Date de dépôt international : 29.08.2005
CIB :
H01L 23/62 (2006.01), H01L 29/74 (2006.01), H01L 29/417 (2006.01), H01L 31/111 (2006.01)
Déposants : ALTERA CORPORATION [US/US]; 101 Innovation Drive, San Jose, CA 95134 (US) (Tous Sauf US).
SUNGKI, Hugh, O. [US/US]; (US) (US Seulement).
SHIH, Chih-Ching [US/US]; (US) (US Seulement).
HUANG, Cheng-Hsiung [US/US]; (US) (US Seulement).
LIU, Yow-Juang [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : SUNGKI, Hugh, O.; (US).
SHIH, Chih-Ching; (US).
HUANG, Cheng-Hsiung; (US).
LIU, Yow-Juang; (US)
Mandataire : MORRIS, Francis, E.; Morgan Lewis, 1111 Pennsylvania Avenue, Washington, DC 20004 (US)
Données relatives à la priorité :
10/938,102 10.09.2004 US
Titre (EN) A COMPACT SCR DEVICE AND METHOD FOR INTEGRATED CIRCUITS
(FR) DISPOSITIF SCR COMPACT ET PROCEDE POUR CIRCUITS INTEGRES
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor device and method for electrostatic discharge protection. The semiconductor device includes a first semiconductor controlled rectifier and a second semiconductor controlled rectifier. The first semiconductor controlled rectifier includes a first semiconductor region (152) and a second semiconductor region (160), and the second semiconductor controlled rectifier includes the first semiconductor region (152) and the second semiconductor region (160). The first semiconductor region is associated with a first doping type, and the second semiconductor region is associated with a second doping type different from the first doping type. The second semiconductor region is located directly on an insulating layer (140).
(FR)Cette invention concerne un dispositif à semi-conducteur et un procédé servant à la protection contre les décharges électrostatiques. Ce dispositif à semi-conducteur comprend un premier redresseur contrôlé au silicium (SCR) et un second redresseur contrôlé au silicium (SCR). Le premier redresseur contrôlé au silicium contient une première zone de semi-conducteur et une seconde zone de semi-conducteur, et le second redresseur contrôlé au silicium contient cette première zone de semi-conducteur et cette seconde zone de semi-conducteur. La première zone de semi-conducteur est associée à un premier type de dopage, et la seconde zone de semi-conducteur est associée à un second type de dopage différent du premier. La seconde zone de semi-conducteur est située directement sur une couche isolante.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)