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1. (WO2006036402) CIRCUIT CASCODE COULISSANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/036402    N° de la demande internationale :    PCT/US2005/030102
Date de publication : 06.04.2006 Date de dépôt international : 22.08.2005
CIB :
H03F 1/22 (2006.01)
Déposants : BAE SYSTEMS INFORMATION AND ELECTRONIC SYSTEMS INTEGRATION, INC. [US/US]; 65 Spit Brook Road, NHQ01-719, Nashua, NH 03060 (US) (Tous Sauf US).
HAIRSTON, Allen, W. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : HAIRSTON, Allen, W.; (US)
Mandataire : LONG, Daniel; BAE Systems Information and Electronic Systems, Integration INC., 65 Spit Brook Road, NHQ01-719, Nashua, NH 03060 (US)
Données relatives à la priorité :
10/929,604 30.08.2004 US
Titre (EN) SLIDING CASCODE CIRCUIT
(FR) CIRCUIT CASCODE COULISSANT
Abrégé : front page image
(EN)Described techniques extend (e.g., by a factor of 2) the dynamic range of voltage swing for amplifiers and other integrated circuits (e.g., buffers) that are fabricated using lower voltage rated semiconductor processes. Such processes include, for instance, thin gate oxide MOS, and other semiconductor processes that provide desirable features that are typically not associated with high voltage processes, such as increased radiation hardness, higher speed logic, and compactness. Thus, relatively large dynamic range is enabled for integrated circuits fabricated using feature-rich lower voltage rated semiconductor processes.
(FR)Les techniques de l'invention permettent d'étendre la portée dynamique d'excursion de tension (par exemple par un facteur 2) d'amplificateurs et d'autres circuits intégrés (par exemple des tampons) qui sont fabriqués via des processus de semi-conducteur qualifiés basse tension. Ces processus comprennent, par exemple, un MOS oxyde grille mince et d'autres processus de semi-conducteur fournissant des caractéristiques recherchées qui ne sont habituellement pas associées à des processus haute tension, telles qu'une résistance améliorée au rayonnement, une logique plus rapide et une compacité. Ainsi, on obtient une portée dynamique relativement grande pour des circuits intégrés fabriqués au moyen de processus de semi-conducteur qualifié basse tension aux caractéristiques multiples.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)