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1. (WO2006036392) MODULATEUR INTERFEROMETRIQUE ANALOGIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/036392    N° de la demande internationale :    PCT/US2005/029899
Date de publication : 06.04.2006 Date de dépôt international : 22.08.2005
CIB :
G02B 26/00 (2006.01)
Déposants : IDC, LLC [US/US]; 2415 Third Street, San Francisco, CA 94107 (US) (Tous Sauf US).
KOTHARI, Manish [IN/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : KOTHARI, Manish; (US)
Mandataire : DELANEY, Karoline, A.; Knobbe, Martens, Olson & Bear, LLP, 2040 Main Street, Fourteenth Floor, Irvine, CA 92614 (US)
Données relatives à la priorité :
60/613,465 27.09.2004 US
11/144,546 03.06.2005 US
Titre (EN) ANALOG INTERFEROMETRIC MODULATOR DEVICE
(FR) MODULATEUR INTERFEROMETRIQUE ANALOGIQUE
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is new architecture of microelectromechanical system (MEMS) device. The device has a partially reflective optical layer, a deformable mechanical layer and a mirror layer, each of which forms an independent electrode. A support post separates the optical layer from the mechanical layer. The mirror layer is located and movable between a first position and a second position, which are located between the optical layer and the mechanical layer. The mirror is spaced from the support post, and mirror is responsive to voltages applied to the three electrodes, thereby moving between the first position and the second position. By applying various combinations of voltage differences between the optical layer and the mirror, and between the mirror and the mechanical layer, the location of the mirror between the first and second positions is tunable throughout the space between the two positions. The tunable MEMS device can be used as an analog display element or analog electrical device such as a tunable capacitor. The MEMS device of the disclosed architecture can also be operated in a non-analog manner.
(FR)L'invention concerne une nouvelle architecture d'un dispositif à système mécanique microélectrique (MEMS). Le dispositif comprend un couche optique réfléchissante, une couche mécanique déformable et une couche miroir, chaque couche formant une électrode indépendante. Une pointe de support sépare la couche optique de la couche mécanique. La couche miroir est située et peut être déplacée entre une première position et une seconde position, lesquelles sont situées entre la couche optique et la couche mécanique. Le miroir est espacé de la pointe de support et réagit à des tensions appliquées sur les trois électrodes pour se déplacer entre la première position et la seconde position. En appliquant diverses combinaisons d'écarts de tension entre la couche optique et le miroir et entre le miroir et la couche mécanique, l'emplacement du miroir entre la première position et la seconde position peut être réglée sur tout l'espace située entre ces deux positions. Le dispositif à MEMS accordable peut être utilisé comme élément d'affichage analogique ou comme dispositif électrique analogique, tel qu'une capacité accordable. Le dispositif à MEMS de l'architecture de l'invention peut également être mis en oeuvre dans un mode non analogique.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)