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1. (WO2006036239) COMMUTATEUR HAUTE TENSION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/036239    N° de la demande internationale :    PCT/US2005/022465
Date de publication : 06.04.2006 Date de dépôt international : 22.06.2005
CIB :
H01L 29/739 (2006.01), H01L 29/73 (2006.01), H01L 29/06 (2006.01)
Déposants : TELEDYNE LICENSING, LLC. [US/US]; 1049 Camino Dos Rios, P.O. Box 1085, Mail Code A15, Thousand Oaks, CA 91358-0085 (US) (Tous Sauf US)
Inventeurs : CHANG, Hsueh-Rong; (US)
Mandataire : PATRICK, Steven, C.; Koppel, Jacobs, Patrick & Heybl, 555 St. Charles Drive, Suite 107, Thousand Oaks, CA 91360 (US)
Données relatives à la priorité :
10/952,268 27.09.2004 US
Titre (EN) HIGH VOLTAGE SWITCH
(FR) COMMUTATEUR HAUTE TENSION
Abrégé : front page image
(EN)A high power switch includes diode and BJT structures interdigitated in a drift layer and separated by insulated trench gates; electrodes contacting the diode and BJT structures provide anode and cathode connections. Shallow N+ regions extend below and around the corners of the oxide side-walls and bottoms of respective gates. A voltage applied across the anode and cathode sufficient to forward bias the diode's p-n junction causes electrons to be injected which provide a base drive current to the BJT sufficient to turn it on and enable current to flow from anode to cathode via the diode and BJT Structures. A gate voltage sufficient to reverse bias the junction between the shallow N+ regions and the drift layer forms a potential barrier which blocks current flow through the diode and BJT Structures and eliminates the base drive current such that the BJT and said switch are turned off.
(FR)L'invention concerne un commutateur à grande puissance qui comprend une diode et des structures à transistor bipolaire interdigitées dans une couche de dérive et séparée par des tranchées grilles isolées ; des électrodes en contact avec la diode et des structures à transistor bipolaire qui établissent des connexions anodiques et cathodiques. Les régions peu profondes N+ s'étendent au-dessous et autour des coins des parois latérales d'oxyde et des fonds des grilles respectives. Une tension appliquée sur l'anode et la cathode, suffisante pour polariser en sens direct la jonction p-n de la diode provoque l'injection des électrons ce qui a pour effet de transmettre au transistor bipolaire un courant d'attaque de base suffisant pour l'enclencher et permettre au courant de passer de l'anode à la cathode via la diode et les structures à transistor bipolaire. Une tension de grille suffisante pour polariser dans le sens inverse la jonction entre les régions N+ peu profondes et la couche de dérive forme une barrière de potentiel qui bloque le passage du courant à travers la diode et les structures à transistor bipolaire et élimine le courant d'attaque de base de façon à mettre hors tension le transistor bipolaire et ledit commutateur.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)