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1. (WO2006036060) GENERATEUR DE POLARISATION DE PORTE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/036060    N° de la demande internationale :    PCT/NL2005/000698
Date de publication : 06.04.2006 Date de dépôt international : 27.09.2005
CIB :
H03F 1/30 (2006.01), H03F 3/195 (2006.01)
Déposants : NEDERLANDSE ORGANISATIE VOOR TOEGEPAST- NATUURWETENSCHAPPELIJK ONDERZOEK TNO [NL/NL]; Schoemakerstraat 97, NL-2628 VK Delft (NL) (Tous Sauf US).
BUSKING, Erik, Bert [NL/NL]; (NL) (US Seulement)
Inventeurs : BUSKING, Erik, Bert; (NL)
Mandataire : WINCKELS, J.H.F.; Johan de Wittlaan 7, NL-2517 JR Den Haag (NL)
Données relatives à la priorité :
04077671.8 27.09.2004 EP
Titre (EN) GATE BIAS GENERATOR
(FR) GENERATEUR DE POLARISATION DE PORTE
Abrégé : front page image
(EN)The problem to be solved is incomplete compensation of threshold voltage spreading in amplifier FETs for example in MMIC's. The problem is solved in a gate bias circuit comprising a first constant current source (I1) connected between the gate of an amplifier FET (T1) and a second voltage source (V2), whereby the gate of the amplifying FET (T1) is terminated with a first resistor (R1) to an electrical ground, further comprising by a second current constant current source (I2) connected between the gate of the FET (T1) and a first voltage source (V1).
(FR)Le problème que l'invention vise à résoudre est la compensation incomplète de l'étalement de la tension de seuil dans un TEC amplificateur, par exemple, dans un MMIC. Le problème est résolu grâce à un circuit de polarisation de porte comprenant une première source de courant constant (I1) connectée entre la porte d'un TEC amplificateur (T1) et une deuxième source de tension (V2), la porte du TEC amplificateur (T1) étant reliée par une première résistance (R1) à une prise de terre; il comprend aussi une deuxième source de courant constant (I2) connectée entre la porte du TEC (T1) et une première source de tension (V1).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)