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1. (WO2006036037) APPAREIL ET PROCEDE D'EBARBAGE POUR BOITIERS A SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/036037    N° de la demande internationale :    PCT/KR2004/003063
Date de publication : 06.04.2006 Date de dépôt international : 25.11.2004
CIB :
H01L 21/56 (2006.01)
Déposants : EO TECHNICS CO., LTD. [KR/KR]; 864-4, Gwanyang 2-dong, Dongan-gu, Anyang-si, Gyeonggi-do 158-050 (KR) (Tous Sauf US).
HAN, You-Hie [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
HONG, Eun-Jeong [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
RYOO, Tae-Kyoung [KR/KR]; (KR) (US Seulement)
Inventeurs : HAN, You-Hie; (KR).
HONG, Eun-Jeong; (KR).
RYOO, Tae-Kyoung; (KR)
Mandataire : KIM, Seong-Nam; 17th Floor, City Air Tower, 159-9 Samsung-dong, Gangnam-gu, Seoul 135-973 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2004-0077972 30.09.2004 KR
Titre (EN) DEFLASHING APPARATUS AND METHOD FOR SEMICONDUCTOR PACKAGES
(FR) APPAREIL ET PROCEDE D'EBARBAGE POUR BOITIERS A SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(EN)The object of the present invention is to provide a deflashing apparatus and method to remove mold flash from a semiconductor package using a laser. The present invention forms a frozen layer on a surface of a semiconductor package using water vapor in the atmosphere, after a molding process is completed, and a CO2 laser is irradiated onto the frozen layer formed on mold flash. As the CO2 laser is absorbed by the frozen layer, a large quantity of water vapor is generated. As the vapor rapidly expands, an impulse wave is generated in a direction opposite to a vapor generating direction, thus removing the mold flash using the impulse wave. Therefore, the present invention allows the mold flash to be easily removed, and because the laser beam is not directly irradiated to the mold flash, a semiconductor package with high reliability and superior packaging can be manufactured.
(FR)La présente invention concerne un appareil et un procédé d'ébarbage permettant d'éliminer la bavure de moulage d'un boîtier à semi-conducteur au moyen d'un laser. Selon la présente invention, une couche gelée est formée à la surface d'un boîtier à semi-conducteur, en utilisant de la vapeur d'eau dans l'atmosphère, ensuite un processus de moulage est mis en oeuvre, puis un laser à CO2 irradie la couche gelée formée sur la bavure de moulage. Lorsque le laser à CO2 est absorbé par la couche gelée, une grande quantité de vapeur d'eau est produite. Lorsque la vapeur se dilate rapidement, une onde de choc est produite dans la direction opposée à une direction de production de vapeur, ce qui permet d'éliminer la bavure de moulage en utilisant l'onde de choc. Cette invention permet ainsi d'éliminer facilement une bavure de moulage et de produire un boîtier à semi-conducteur de grande fiabilité et à qualité de montage sous boîtier supérieure, étant donné que le faisceau laser n'est pas directement dirigé sur la bavure de moulage.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)