WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2006036021) COMPOSITION DE PORCELAINE DIELECTRIQUE ET PROCEDE DE PRODUCTION DE CELLE-CI
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/036021    N° de la demande internationale :    PCT/JP2005/018504
Date de publication : 06.04.2006 Date de dépôt international : 29.09.2005
CIB :
C04B 35/46 (2006.01), H01B 3/12 (2006.01)
Déposants : TDK CORPORATION [JP/JP]; 13-1, Nihonbashi 1-chome Chuo-ku, Tokyo 103-8272 (JP) (Tous Sauf US).
ARASHI, Tomohiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MIYAUCHI, Yasuharu [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : ARASHI, Tomohiro; (JP).
MIYAUCHI, Yasuharu; (JP)
Mandataire : SARADA, Hideo; 4F, Matsui Bldg. 28-2, Kanda Tomiyamacho Chiyoda-ku, Tokyo 101-0043 (JP)
Données relatives à la priorité :
2004-286651 30.09.2004 JP
2004-286674 30.09.2004 JP
2005-079368 18.03.2005 JP
Titre (EN) DIELECTRIC PORCELAIN COMPOSITION AND METHOD FOR PRODUCTION THEREOF
(FR) COMPOSITION DE PORCELAINE DIELECTRIQUE ET PROCEDE DE PRODUCTION DE CELLE-CI
(JA) 誘電体磁器組成物及びその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)A dielectric porcelain composition which comprises, as main components thereof, BaO, Nd2O3, TiO2, MgO and SiO2 in a specific ratio, and further comprises, as sub-components thereof, ZnO, B2O3 and CuO in a specific ratio. The above dielectric porcelain composition can be surely sintered at a temperature which is low sufficient to allow the use of an electroconductive material such as Ag and an alloy containing Ag as a main component as an inner conductor. Further, the above dielectric porcelain composition is reduced in the change of the resonance frequency thereof by the temperature change, and can have a specific dielectric constant lower than that of a BaO-rare earth oxide- TiO2 based dielectric porcelain composition. From the above, the above dielectric porcelain composition can be suitably used for forming a multi-layered device.
(FR)Cette invention concerne une composition de porcelaine diélectrique comportant, comme composants majeurs, du BaO, du Nd2O3, du TiO2, du MgO et du SiO2 dans un rapport donné, et comprend également, comme composants auxiliaires, du ZnO, du B2O3 et du CuO dans un rapport donné. Cette composition de porcelaine diélectrique peut être frittée de manière sûre à une température suffisamment basse pour permettre l’utilisation d’un matériau électroconducteur comme l’Ag, ainsi qu’un alliage à base d’Ag comme composant majeur et conducteur interne. De plus, cette composition de porcelaine diélectrique change peu dans cette fréquence de résonance par la variation de la température, et peut avoir une constante diélectrique spécifique plus basse que celle d’une porcelaine diélectrique basée sur une composition BaO-oxyde de terres rares - TiO2. En conséquence, la composition de porcelaine diélectrique susmentionnée convient pour l’utilisation dans la formation d’un dispositif multicouche.
(JA)誘電体磁器組成物の主成分としてBaO、Nd2O3、TiO2、MgO及びSiO2を所定の比率で含有し、誘電体磁器組成物の副成分としてZnO、B2O3及びCuOを所定の比率で含有しているので、Ag又はAgを主成分とする合金等の導体を内部導体として使用できるように、低温での焼結性が確実なものとなる。さらには、温度変化による共振周波数の変化が小さく、BaO-希土類酸化物-TiO2系誘電体磁器組成物の比誘電率より低い比誘電率を有する誘電体磁器組成物を得ることができ、多層型デバイスの形成に奸適な誘電体磁器組成物となる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)