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1. (WO2006035925) PROCEDE DE MESURE, PROCEDE D’EXPOSITION ET PROCEDE DE FABRICATION DE DISPOSITIF
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/035925    N° de la demande internationale :    PCT/JP2005/018084
Date de publication : 06.04.2006 Date de dépôt international : 30.09.2005
CIB :
H01L 21/027 (2006.01), G03F 7/20 (2006.01)
Déposants : NIKON CORPORATION [JP/JP]; 2-3, Marunouchi 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008331 (JP) (Tous Sauf US).
HAGIWARA, Tsuneyuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : HAGIWARA, Tsuneyuki; (JP)
Mandataire : TATEISHI, Atsuji; TATEISHI & CO., Karakida Center Bldg., 1-53-9, Karakida, Tama-shi, Tokyo 2060035 (JP)
Données relatives à la priorité :
2004-287178 30.09.2004 JP
Titre (EN) MEASUREMENT METHOD, EXPOSURE METHOD, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD
(FR) PROCEDE DE MESURE, PROCEDE D’EXPOSITION ET PROCEDE DE FABRICATION DE DISPOSITIF
(JA) 計測方法及び露光方法、並びにデバイス製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Light is applied to a light shading pattern (MPn) arranged at the side of the object surface of a projection optical system (PL) and slits (29x, 29y) of a spatial image measurement device arranged at the side of the image plane of the projection optical system are moved in a plane vertical to the optical axis of the projection optical system, thereby detecting the light intensity distribution of the light via the projection optical system and the slits and calculating information concerning the flare of the projection optical system from the light intensity distribution. Thus, it is possible to eliminate the affect of the resist coated onto the wafer used in the conventional burning method and realize measurement of information on the accurate flare. Moreover, since the wafer development step is not required, it is possible to perform measurement of the information on the flare in a short time as compared to the burning method.
(FR)Selon l’invention, de la lumière est appliquée à un motif pare-lumière (MPn) disposé du côté de la surface objet d’un système de projection optique (PL) et des fentes (29x, 29y) d’un dispositif de mesure d’image spatiale disposé du côté du plan image du système de projection optique sont déplacées dans un plan vertical par rapport à l’axe optique du système de projection optique, de façon à détecter la distribution d’intensité de la lumière par le biais du système de projection optique et des fentes et à calculer des informations relatives aux reflets parasites du système de projection optique à partir de la distribution d’intensité de la lumière. L’invention permet donc d’éliminer l’effet du résist appliqué sur la plaquette utilisée dans un procédé de déverminage traditionnel et de réaliser des mesures précises des informations relatives aux reflets parasites. De plus, du fait que l’étape de développement de la plaquette n’est pas nécessaire, il est possible de réaliser une mesure des informations relatives aux reflets parasites plus rapidement qu’avec le procédé de déverminage.
(JA) 投影光学系(PL)の物体面側に配置された遮光パターン(MPn)に光を照射し、投影光学系の像面側に配置された空間像計測装置のスリット(29x,29y)を投影光学系の光軸に垂直な面内で移動しつつ、投影光学系及びスリットを介した光の光強度分布を検出し、該光強度分布から前記投影光学系のフレアに関する情報を算出するので、従来の焼付け法で用いられるウエハに塗布されるレジストの影響を排除することができ、高精度なフレアに関する情報の計測を実現することができる。また、ウエハの現像工程等が不要なため、焼付け法に比べて短時間でフレアに関する情報の計測を行うことができる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)