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1. (WO2006035877) DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/035877    N° de la demande internationale :    PCT/JP2005/017963
Date de publication : 06.04.2006 Date de dépôt international : 29.09.2005
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    31.07.2006    
CIB :
H01L 29/78 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01), H01L 29/423 (2006.01), H01L 29/49 (2006.01)
Déposants : MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (Tous Sauf US).
MIZOKUCHI, Shuji; (US Seulement).
TSUNODA, Kazuaki; (US Seulement)
Inventeurs : MIZOKUCHI, Shuji; .
TSUNODA, Kazuaki;
Mandataire : MAEDA, Hiroshi; Osaka-Marubeni Bldg., 5-7, Hommachi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410053 (JP)
Données relatives à la priorité :
2004-283888 29.09.2004 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置
Abrégé : front page image
(EN)A trench is formed on a semiconductor substrate. The trench is provided with a gate electrode part wherein a gate electrode is arranged, and a gate extracting part with which wiring for electrically connecting the gate electrode with the external is brought into contact. In the gate extracting part for electrically connecting the gate electrode with the external, the width of an end part of the trench is formed wider than that of other parts.
(FR)L’invention concerne une tranchée formée sur un substrat à semi-conducteur. La tranchée est pourvue d’une partie d’électrode grille où l’électrode grille est agencée, et une partie d’extraction de grille avec laquelle un câblage pour connecter électriquement l’électrode grille avec l’extérieur est mis en contact. Dans la partie d’extraction de grille pour connecter électriquement l’électrode grille avec l’extérieur, la largeur d’une partie d’extrémité de la tranchée est formée de façon à être plus large que celle des autres parties.
(JA) 半導体基板にトレンチが形成され、トレンチは、ゲート電極が配置するゲート電極部と、ゲート電極と外部とを電気的に接続するための配線が接するゲート引き出し部とを有する。ゲート電極を外部と電気的に接続するためのゲート引き出し部では、トレンチの終端部の幅が、トレンチのうちの他の部分よりも広く形成されている。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)