WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2006035783) COMMUTATEUR HAUTE FRÉQUENCE ET MÉTHODE DE FABRICATION DE CELUI-CI
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/035783    N° de la demande internationale :    PCT/JP2005/017771
Date de publication : 06.04.2006 Date de dépôt international : 27.09.2005
CIB :
H04B 1/44 (2006.01), H01P 1/15 (2006.01)
Déposants : MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555 (JP) (Tous Sauf US).
UEJIMA, Takanori [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NAKAYAMA, Naoki [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : UEJIMA, Takanori; (JP).
NAKAYAMA, Naoki; (JP)
Mandataire : MORISHITA, Takekazu; Sanmoto Building 2-18, Minamihommachi 4-chome Chuo-ku, Osaka-shi Osaka 5410054 (JP)
Données relatives à la priorité :
2004-287779 30.09.2004 JP
2004-287780 30.09.2004 JP
Titre (EN) HIGH FREQUENCY SWITCH AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
(FR) COMMUTATEUR HAUTE FRÉQUENCE ET MÉTHODE DE FABRICATION DE CELUI-CI
(JA) 高周波スイッチおよびその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)A high frequency switch (11) is configured by connecting a first diode (D1) which is a switching element, a second diode (D2), inductors (SL1, SL2), capacitors (C5, C6) and a resistance (R). A diode having a relatively small charge storage quantity in the ON status is used for the first diode, and a diode having a relatively large charge storage quantity in the ON status is used for the second diode. Namely, the diodes having different part numbers are used for the first diode and the second diode, respectively, and the diode of a part number having a relatively small charge storage quantity is used for the first diode, and the diode of a part number having a relatively large charge storage quantity is used for the second diode. Alternatively, the charge storage quantities of diodes of the same lot in the ON status are measured and classified, a diode having a relatively small charge storage quantity is used for the first diode and a diode having a relatively large charge storage quantity is be used for the second diode.
(FR)Ce commutateur haute fréquence (11) est réalisé en connectant une première diode (D1) qui est un élément de commutation, une deuxième diode (D2), les inductances (SL1, SL2), les condensateurs (C5, C6) et une résistance (R). Une diode ayant une capacité de stockage de charge relativement faible à l’état PASSANT est utilisée pour la première diode et une diode possédant ayant une capacité de stockage de charge relativement forte à l’état PASSANT est utilisée pour la deuxième diode. Il est possible d’utiliser des diodes de références et caractéristiques différentes en tant que première et deuxième diode, une diode d’une capacité de stockage de charge relativement faible étant utilisée pour la première diode et une diode d’une capacité de stockage de charge relativement forte étant utilisée pour la deuxième diode. En alternative, des diodes d’un même lot peuvent être mesurées et classées par quantité de stockage de charge à l’état PASSANT, une diode ayant une capacité de stockage de charge relativement faible étant utilisée pour la première diode et une diode ayant une capacité de stockage de charge relativement forte étant utilisée pour la deuxième diode.
(JA) 高周波スイッチ(11)は、スイッチング素子である第1ダイオード(D1)、第2ダイオード(D2)、インダクタ(SL1),(SL2)、コンデンサ(C5),(C6)および抵抗(R)を接続して構成される。ON状態での電荷蓄積量の相対的に小さいダイオードを第1ダイオードに使用し、ON状態での電荷蓄積量の相対的に大きいダイオードを第2ダイオードに使用する。即ち、第1ダイオードと第2ダイオードのそれぞれに品番の異なるダイオードを使用し、電荷蓄積量の相対的に小さい品番のダイオードを第1ダイオードに使用し、電荷蓄積量の相対的に大きい品番のダイオードを第2ダイオードに使用する。あるいは、同一ロットの各ダイオードのON状態での電荷蓄積量を測定して分別し、電荷蓄積量の相対的に小さいダイオードを第1ダイオードに使用し、電荷蓄積量の相対的に大きいダイオードを第2ダイオードに使用してもよい。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)