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1. (WO2006035762) PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UN DISPOSITIF DE VIBRATION À RÉSONANCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/035762    N° de la demande internationale :    PCT/JP2005/017722
Date de publication : 06.04.2006 Date de dépôt international : 27.09.2005
CIB :
B81C 1/00 (2006.01), B81B 3/00 (2006.01), G02B 26/10 (2006.01), H01L 41/22 (2006.01), H03H 3/04 (2006.01)
Déposants : BROTHER KOGYO KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 15-1, Naeshiro-cho, Mizuho-ku, Nagoya-shi, Aichi 4678561 (JP) (Tous Sauf US).
MURAKAMI, Kenichi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
ASAI, Nobuaki [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : MURAKAMI, Kenichi; (JP).
ASAI, Nobuaki; (JP)
Mandataire : MATSUOKA, Shuhei; Shin-Toshi-Center Bldg. 6F 24-1, Tsurumaki 1-chome Tama-shi, Tokyo 206-0034 (JP)
Données relatives à la priorité :
2004-288077 30.09.2004 JP
2004-288508 30.09.2004 JP
Titre (EN) METHOD FOR FABRICATING RESONANCE VIBRATION DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UN DISPOSITIF DE VIBRATION À RÉSONANCE
(JA) 共振振動デバイスの製造方法
Abrégé : front page image
(EN)A method for fabricating a resonance vibration device in which a structure consisting of a support, a vibratory beam extending from the support, and a vibration element supported by the beam to perform resonance vibration as the beam vibrates is formed integrally using a substrate, and a piezoelectric element for driving the beam to vibrate is formed on the beam with a structure of interposing a piezoelectric film between opposite electrodes. The fabrication method comprises a step for measuring the thickness of the substrate, a step for determining the deposition conditions of the piezoelectric film based on the thickness of the substrate measured in the step for measuring the thickness such that the frequency by resonance vibration of the vibration element has a desired resonance frequency, and a step for forming the piezoelectric element based on the deposition conditions of the piezoelectric film determined in the step for determining the deposition conditions of the piezoelectric film.
(FR)L’invention porte sur un procédé de fabrication d’un dispositif de vibration à résonance dans lequel une structure consistant en un support, un faisceau vibratoire s’étendant depuis le support, et un élément de vibration supporté par le faisceau pour réaliser une vibration à résonance tandis que le faisceau vibre est formée de manière intégrale à l’aide d’un substrat, et un élément piézoélectrique pour provoquer la vibration du faisceau est formé sur le faisceau avec une structure d’interposition d’un film piézoélectrique entre des électrodes opposées. Le procédé de fabrication comprend une phase de mesure de l’épaisseur du substrat, une phase de détermination des conditions de dépôt du film piézoélectrique en fonction de l’épaisseur du substrat mesurée dans la phase de mesure d’épaisseur de telle sorte que la fréquence par vibration à résonance de l’élément de vibration a une fréquence de résonance déterminée, et une phase de formation de l’élément piézoélectrique sur la base des conditions de dépôt du film piézoélectrique déterminées dans la phase de détermination des conditions de dépôt du film piézoélectrique.
(JA) 支持体と、この支持体から振動可能に延出する梁と、この梁の振動に伴い共振振動するように梁に支持される振動素子とからなる構成が、基板を用いて一体に形成され、梁を振動させるように駆動する圧電素子が両電極間に圧電膜を介装する構成でもって梁に形成される共振振動デバイスの製造方法が提供される。この製造方法は、基板の厚さを測定する厚さ測定工程と、この厚さ測定工程において測定された基板の厚さに基づき振動素子の共振振動による周波数を所望の共振周波数にするように圧電膜の形成条件を決定する圧電膜形成条件決定工程と、圧電膜形成条件決定工程で決定された圧電膜の形成条件に基づいて、圧電素子を形成する圧電素子形成工程とを備える。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)